申请/专利权人：四川启睿克科技有限公司;四川长虹电子控股集团有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117835731A

主分类号：H10K59/12

分类号：H10K59/12;H10K59/32;G03B21/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明叠层式Micro‑LED芯片、制备方法及投影引擎，涉及半导体发光器件技术，所述叠层式Micro‑LED芯片由下至上依次为半导体衬底、第一外延层、第二外延层和封装膜；所述第一外延层由下至上依次为TFT驱动电路基板、金属电极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和透明电极；所述发光层由左至右依次为蓝光发光层、纳米隔离层和绿光发光层，所述纳米隔离层用于隔离蓝光发光层和绿光发光层；所述TFT驱动电路基板用于控制蓝光发光层发光以及控制绿光发光层发光；所述第二外延层由左至右依次为蓝光增透膜、红光发光层和绿光增透膜，以此将RGB三基色集成在一起，解决了现有的Micro‑LED芯片红、绿、蓝三色RGB排列组装非常困难的问题，本发明适用于制备叠层式Micro‑LED芯片。

主权项：1.叠层式Micro-LED芯片，其特征在于，由下至上依次为半导体衬底4、第一外延层5、第二外延层6和封装膜19；所述第一外延层5由下至上依次为TFT驱动电路基板7、金属电极8、电子传输层9、发光层、空穴传输层13、空穴注入层14和透明电极15；所述发光层由左至右依次为蓝光发光层10、纳米隔离层11和绿光发光层12，所述纳米隔离层用于隔离蓝光发光层10和绿光发光层12；所述TFT驱动电路基板7用于控制蓝光发光层10发光以及控制绿光发光层12发光；所述第二外延层6由左至右依次为蓝光增透膜16、红光发光层17和绿光增透膜18。

全文数据：

权利要求：

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