申请/专利权人：山东大学

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117822099A

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明属于氮化铝单晶生长领域，涉及一种PVT生长AlN单晶过程中籽晶表面预处理的方法。本发明主要通过高温下调节压力的变化，将籽晶表面的加工痕迹去除，露出原始的生长表面，再使用带初始生长面的籽晶进行生长，经过处理后的籽晶，诱导能力明显提升，AlN晶体能够完全沿着籽晶的晶向进行生长，并且基本无偏角误差，很大程度上降低了c向AlN单晶的生长难度，并且提高了AlN晶体生长的成功率，同时由于高温退火，也会起到固化位错防止开裂的作用。

主权项：1.一种PVT生长AlN单晶过程中籽晶表面预处理的方法，其特征在于，步骤如下：1取完全洁净的坩埚，将圆台状的中空导流罩放入坩埚内；导流罩底部设置在距坩埚顶部14处；所述导流罩上直径与籽晶直径相等，下直径与坩埚内径相等，高度为坩埚高度的18-16；2将籽晶粘接到籽晶托上，再将籽晶托倒置扣在导流罩上，并对籽晶托背面施加压力，随后将坩埚密封；3将密封好的坩埚装入生长炉膛内，在1.1-1.3atm压力条件下调节温度缓慢升温至2050-2080℃，然后调节压力，缓慢减小压力直至0.3atm，恒温，缓慢降温取出坩埚。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 一种PVT生长AlN单晶过程中籽晶表面预处理的方法

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