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【发明公布】一种利用全喷墨印刷制备高密度全彩QLED器件的方法_闽都创新实验室;晋江市博感电子科技有限公司_202410050005.9 

申请/专利权人:闽都创新实验室;晋江市博感电子科技有限公司

申请日:2024-01-12

公开(公告)日:2024-04-05

公开(公告)号:CN117835769A

主分类号:H10K71/00

分类号:H10K71/00;H10K71/13;H10K50/10;H10K50/115

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要:本发明涉及一种利用全喷墨印刷制备高密度全彩QLED器件的方法。该方法使用喷墨印刷技术在透明衬底上印刷功能层材料以制造电致QLED器件,QLED器件由透明基板ITO空穴注入层(Holeinjectionlayer,HIL)空穴传输层Holetransportlayer,HTL量子点(Quantumdots,QDs)电子传输层(Electrontransportlayer,ETL)金属电极组成,各个印刷薄膜直接图案化,其中每种功能层材料墨水均为定制,定制的墨水在特定的衬底上能够实现依次稳定成膜,印刷薄膜厚度均匀,无咖啡环,进而来制造一种全喷墨印刷的电致QLED。本发明方法制备的QLED器件具有工艺简单、生产成本低、器件亮度和外量子效率较高,可用于商业化QLED显示器件制造、Micro‑LED全彩化显示、传感器制造以及医疗生物和防伪技术等领域。

主权项:1.一种利用全喷墨印刷制备高密度全彩QLED器件的方法,其特征在于,包括以下步骤:1制备的电致QLED器件其结构至下而上为透明基板ITO空穴注入层HIL空穴传输层HTL量子点QDs电子传输层ETL金属电极;2使用甲苯、丙酮、异丙醇、超纯水对镀有图案化ITO的透明基板分别进行10min超声清洗;3对镀有图案化ITO的表面进行UV-臭氧处理30min;4将HIL、HTL、QDs、ETL和金属墨水装入打印机储液瓶,将步骤3处理后的透明基板放入平台,准备进行打印;5使用按需打印机对墨滴进行调制,喷头的驱动电压为正弦波形,墨水在频闪相机观测下呈现圆形液滴,无明显偏移,稳定喷射;6设定打印程序,开始在镀有图案化ITO的透明基板上依次打印材料墨水;7将步骤6制得的样片退火处理,得到电致QLED器件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 闽都创新实验室;晋江市博感电子科技有限公司 一种利用全喷墨印刷制备高密度全彩QLED器件的方法

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