申请/专利权人：华灿光电(苏州)有限公司

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832372A

主分类号：H01L33/62

分类号：H01L33/62;H01L33/00;F21K9/20;F21K9/90;G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本公开提供了一种改善发光亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括：提供一外延片；在所述外延片的第一表面上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有第一通孔，所述第一通孔包括沿远离所述外延片的方向上依次相连的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段为锥孔，所述第一孔段的孔径较小的一端与所述第二孔段相连，所述第二孔段的孔壁与所述第一表面的第一夹角小于等于90度，所述第一孔段的孔壁与所述第一表面的第二夹角小于所述第一夹角；通过所述第一通孔在所述外延片上形成焊点。本公开实施例能改善制作的焊点的尺寸容易出现波动的问题，提升发光亮度。

主权项：1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一外延片；在所述外延片的第一表面上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有第一通孔，所述第一通孔包括沿远离所述外延片的方向上依次相连的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段为锥孔，所述第一孔段的孔径较小的一端与所述第二孔段相连，所述第二孔段的孔壁与所述第一表面的第一夹角小于或者等于90度，所述第一孔段的孔壁与所述第一表面的第二夹角小于所述第一夹角；通过所述第一通孔在所述外延片上形成焊点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华灿光电(苏州)有限公司 改善发光亮度的发光二极管及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD