申请/专利权人:华灿光电(苏州)有限公司
申请日:2023-09-26
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN117936657A
主分类号:H01L33/00
分类号:H01L33/00;H01L33/02;H01L33/14;H01L33/06
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要:本公开提供了一种发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。所述制备方法包括:在氨气氛围下对蓝宝石衬底进行加热处理,使所述蓝宝石衬底为氮极性;在所述蓝宝石衬底上依次形成低温GaN层和高温GaN层,得到第一半导体层,所述高温GaN层的生长温度大于所述低温的生长温度,所述高温GaN层的生长压力小于所述低温GaN层的生长压力;在所述第一半导体层上形成发光层;在所述发光层上形成第二半导体层。
主权项:1.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:在氨气氛围下对蓝宝石衬底进行加热处理,使所述蓝宝石衬底为氮极性;在所述蓝宝石衬底上依次形成低温GaN层和高温GaN层,得到第一半导体层,所述高温GaN层的生长温度大于所述低温的生长温度,所述高温GaN层的生长压力小于所述低温GaN层的生长压力;在所述第一半导体层上形成发光层;在所述发光层上形成第二半导体层。
全文数据:
权利要求:
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