申请/专利权人:江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日:2024-01-23
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN117936674A
主分类号:H01L33/38
分类号:H01L33/38;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/62;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/00;C23C14/30;C23C14/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要:本申请涉及一种发光二极管的制备方法及发光二极管,属于半导体电子技术领域。该制备方法包括:制备外延片,外延片包括层叠的衬底、电子提供层、发光层以及空穴提供层;对空穴提供层进行刻蚀,形成多个第一柱体;在相邻两个第一柱体之间的第一凹槽的底部与侧壁形成第一介质层,第一介质层具有第二凹槽;在第二凹槽内形成第一反射层;形成第一电极与第二电极,第一电极与空穴提供层电连接,第二电极与电子提供层电连接。本申请提供的方案无需对发光层进行刻蚀,避免刻蚀损伤对器件性能的影响;并且设置反射层,不仅能对非发光区域进行遮挡获得边界清晰的发光单元,而且能对非发光区域的光进行反射,提高了发光二极管的光提取效率和外量子效率。
主权项:1.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,包括:制备外延片,所述外延片包括层叠设置的衬底、电子提供层、发光层以及空穴提供层;对所述空穴提供层进行刻蚀,形成多个第一柱体;其中,相邻两个所述第一柱体之间具有第一凹槽;在所述第一凹槽的底部与侧壁形成第一介质层;其中,所述第一介质层具有第二凹槽;在所述第二凹槽内形成第一反射层;形成第一电极与第二电极;其中,所述第一电极与所述空穴提供层电连接,所述第二电极与所述电子提供层电连接。
全文数据:
权利要求:
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