申请/专利权人：福建工程学院

申请日：2018-12-14

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN109347480B

主分类号：H03M1/46

分类号：H03M1/46

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2019.03.12#实质审查的生效;2019.02.15#公开

摘要：本发明公开一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器及其开关方法，采用上极板采样，比较器正负输入端电容阵列采用电容拆分结构。第三个参考电压Vaq（VREF4）只作用于LSB电容和dummy电容，与传统结构相比，电容面积减少了87.5％。从第二个位转换周期到倒数第三个位转换周期，采用电荷均值开关算法；剩余两个位转换周期引入Vaq。与传统结构相比，开关能耗减少了98％。另外，除了最后两个位转换周期，比较器输入端的共模电压保持不变。本发明适用于低电容面积低功耗的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，能大幅度降低成本，具有很好的经济效益。

主权项：1.一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：其包括依次连接的电容阵列、比较器和控制逻辑电路，其中电容阵列包括连接到比较器正输入端的电容拆分结构的正向电容阵列和连接到比较器负输入端的电容拆分结构的反向电容阵列，比较器的输出端连接控制逻辑电路的输入端，正向电容阵列和反向电容阵列均采用电容拆分结构，且均包括MSB部分和LSB部分，MSB部分和LSB部分完全一致，均为二进制权重；MSB部分和LSB部分包括N-5个高位电容、一个LSB电容和一个dummy电容，N-5个高位电容的容值依次降权，其中最高权重的高位电容的容值为2N-5C，N为模数转换器的精度且N为大于5的整数；正向电容阵列上极板通过采样开关SP与正输入端电压VINP相连，反向电容阵列上极板通过采样开关SN与负输入端电压VINN相连，正向电容阵列的下极板除LSB电容和dummy电容外分别通过选择开关与VREF、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的同等权重的电容的下极板相连接，正向电容阵列的LSB电容和dummy电容的下极板各自通过选择开关与VREF、Vaq、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的LSB电容和dummy电容的下极板对应连接；VREF基准电压，Vaq为参考电压，Vaq＝VREF4；其中，一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器的开关方法包括以下步骤；步骤1，采样阶段：正输入电压VINP通过采样开关SP的导通连接到正向电容阵列的上极板，正向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到gnd，LSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF；负输入电压VINN通过采样开关SN的导通连接到反向电容阵列的上极板，反向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF，LSB部分的电容阵列所有下极板连接到gnd；步骤2，构建每次计较的数字码DM的计算公式，M表示当前的比较序号，则针对具体的第M次的数字码DM计算公式如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；当M≥2且时，其中m为满足|m|＜2M-1的所有整数；则当VINP-VINN小于或等于时，DM＝0；步骤3，第一次比较：采样开关SP、SN断开，开始第一次比较获取数字码D1；当VINP大于VINN时，数字码D1＝1；当VINP小于等于VINN时，数字码D1＝0；当D1＝1，则正向电容阵列的LSB部分的所有电容的下极板和反向电容阵列的LSB部分的所有电容的下极板连接到VCM，VCM表示对应电容的下极板相连接，VCM＝VREF2；即比较器正输入端电压减少了VREF4，比较器负输入端电压增加了VREF4；反之D1＝0，正向电容阵列的MSB部分的所有电容的下极板和反向电容阵列的MSB部分的所有电容的下极板连接到VCM，即比较器正输入端电压增加了VREF4，比较器负输入端电压减少了VREF4；步骤4，依次进行第二次至第N-3次比较，N为模数转换器的精度：每次计较时先通过DM计算公式计算该次比较的数字码DM；再确定该次比较对应的权重电容，其中第二次比较对应的权重电容为正向电容阵列和反向电容阵列的对应部分的最大权重的高位电容；随着比较次数的增加该次比较对应的电容的权重依次降低，则每次比较对应的转换器开关切换关系如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；则正向电容阵列的LSB部分与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；当m为满足|m|＜2M-1的所有整数；则对应的开关切换如下：当D1＝1且DM＝1，则正向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；反向电容阵列中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；当D1＝1且DM＝0，则正向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DM＝1，则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DM＝0，则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；当VINP-VINN小于或等于时，DM＝0；则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；步骤5，进行第N-2次比较，则该次比较对应的转换器开关切换关系如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变；当m为满足|m|＜2N-3的所有整数；则对应的开关切换如下：当D1＝1且DN-2＝1，则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变；当D1＝1且DN-2＝0，则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DN-2＝1，则正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DN-2＝0，则正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；当VINP-VINN小于或等于时，DN-2＝0；则正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；步骤6，进行第N-1次比较，采用DM计算公式获得第N-1次比较的数字码DN-1的值；则第N-1次比较时转换器开关切换关系如下：若D1＝1且DN-1＝1时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变；若D1＝1且DN-1＝0时，正向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变；若D1＝0且DN-1＝1时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；若D1＝0且DN-1＝0时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变；步骤7，进行第N次比较，采用DM计算公式计算获得第N次比较的数字码DN并输出，结束转换。

全文数据：一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器及其开关方法技术领域本发明涉及模数混合信号集成电路领域，尤其涉及一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器及其开关方法。背景技术转换生物医学信号如心电图，脑电图等需要超低功耗、中等精度和低采样率电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器。该电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器的功耗主要在于比较器、电容阵列构成的数模转换器、数字控制电路和漏电流。比较器采用动态结构，数字控制电路受益于先进的CMOS工艺。并且电容阵列在电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器中所占面积和能耗都很大，所以需要降低电容阵列开关能耗，减少电容阵列面积，降低芯片制作成本，提高经济效益。发明内容本发明的目的在于提供一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器及其开关方法，在同等精度下，与10位传统结构相比，电容面积减少了87.5％，开关过程中产生的功耗减少了98％。本发明采用的技术方案是：一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，其包括依次连接的电容阵列、比较器和控制逻辑电路，其中电容阵列包括连接到比较器正输入端的电容拆分结构的正向电容阵列和连接到比较器负输入端的电容拆分结构的反向电容阵列，比较器的输出端连接控制逻辑电路的输入端，正向电容阵列和反向电容阵列均采用电容拆分结构，且均包括MSB部分和LSB部分，MSB部分和LSB部分完全一致，均为二进制权重；MSB部分和LSB部分包括N-5个高位电容、一个LSB电容和一个dummy电容，N-5个高位电容的容值依次降权，其中最高权重的高位电容的容值为2N-5C，N为模数转换器的精度且N为大于5的整数；正向电容阵列上极板通过采样开关SP与正输入端电压VINP相连，反向电容阵列上极板通过采样开关SN与负输入端电压VINN相连，正向电容阵列的下极板除LSB电容和dummy电容外分别通过选择开关与VREF、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的同等权重的电容的下极板相连接，正向电容阵列的LSB电容和dummy电容的下极板各自通过选择开关与VREF、Vaq、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的LSB电容和dummy电容的下极板对应连接；VREF基准电压，Vaq为参考电压，Vaq＝VREF4。进一步地，模数转换器的LSB电容和dummy电容均为单位电容，模数转换器总共包括2N-3个单位电容，N为模数转换器的精度。进一步地，本发明还公开了基于所述的一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器的开关方法，其包括以下步骤；步骤1，采样阶段：正输入电压VINP通过采样开关SP的导通连接到正向电容阵列的上极板，正向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到gnd，LSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF；负输入电压VINN通过采样开关SN的导通连接到反向电容阵列的上极板，反向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF，LSB部分的电容阵列所有下极板连接到gnd；步骤2，构建每次计较的数字码DM的计算公式，M表示当前的比较序号，则针对具体的第M次的数字码DM计算公式如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；当M≥2且时，其中m为满足|m|＜2M-1的所有整数；则当VINP-VINN小于或等于时，DM＝0；步骤3，第一次比较：采样开关SP、SN断开，开始第一次比较获取数字码D1；当VINP大于VINN时，数字码D1＝1；当VINP小于等于VINN时，数字码D1＝0；当D1＝1，则正向电容阵列的LSB部分的所有电容的下极板和反向电容阵列的LSB部分的所有电容的下极板连接到VCM，VCM表示对应电容的下极板相连接，VCM＝VREF2；即比较器正输入端电压减少了VREF4，比较器负输入端电压增加了VREF4；反之D1＝0，正向电容阵列的MSB部分的所有电容的下极板和反向电容阵列的MSB部分的所有电容的下极板连接到VCM，即比较器正输入端电压增加了VREF4，比较器负输入端电压减少了VREF4；步骤4，依次进行第二次至第N-3次比较，N为模数转换器的精度：每次计较时先通过DM计算公式计算该次比较的数字码DM；再确定该次比较对应的权重电容，其中第二次比较对应的权重电容为正向电容阵列和反向电容阵列的对应部分D1＝1时，为LSB部分；D1＝0时，为MSB部分的最大权重的高位电容，随着比较次数的增加该次比较对应的电容的权重依次降低，则每次比较对应的转换器开关切换关系如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；则正向电容阵列的LSB部分与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；当m为满足|m|＜2M-1的所有整数；则对应的开关切换如下：当D1＝1且DM＝1，则正向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；当D1＝1且DM＝0，则正向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DM＝1，则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DM＝0，则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；当VINP-VINN小于或等于时，DM＝0；则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；步骤5，进行第N-2次比较，则该次比较对应的转换器开关切换关系如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变；当m为满足|m|＜2N-3的所有整数；则对应的开关切换如下：当D1＝1且DN-2＝1，则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变；当D1＝1且DN-2＝0，则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DN-2＝1，则正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DN-2＝0，则正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；当VINP-VINN小于或等于时，DN-2＝0；则正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；步骤6，进行第N-1次比较，采用DM计算公式获得第N-1次比较的数字码DN-1的值；则第N-1次比较时转换器开关切换关系如下：若D1＝1且DN-1＝1时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变；若D1＝1且DN-1＝0时，正向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变；若D1＝0且DN-1＝1时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；若D1＝0且DN-1＝0时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变；步骤7，进行第N次比较，采用DM计算公式计算获得第N次比较的数字码DN并输出，结束转换。本发明采用以上技术方案，采用上极板采样，比较器正负输入端电容阵列采用电容拆分结构。第三个参考电压VaqVREF4只作用于MSB部分和LSB部分的LSB电容和dummy电容，与传统结构相比，电容面积减少了87.5％。从第二个位转换周期到倒数第三个位转换周期，采用电荷均值开关算法；剩余两个位转换周期引入Vaq。与传统结构相比，开关能耗减少了98％。另外，除了最后两个位转换周期，比较器输入端的共模电压保持不变。本发明适用于低电容面积低功耗的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，能大幅度降低成本，具有很好的经济效益。附图说明以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明；图1为本发明实施例的10位的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器的结构示意图；图2为本发明实施例的5位的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器开关方法的第一次开关切换工作原理图；图3为本发明实施例的5位的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器开关方法的第二次开关切换工作原理图；图4为本发明实施例的5位的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器开关方法的第三次开关切换工作原理图；图5为本发明实施例的5位的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器开关方法的第四次开关切换工作原理图；图6为本发明实施例的5位的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器开关方法的第五次开关切换工作原理图之一；图7为本发明实施例的5位的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器开关方法的第五次开关切换工作原理图之二；图8为本发明实施例的6位的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器开关方法的转换过程中DAC输出电压波形图；图9为本发明实施例的10位的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器开关方法的转换过程中开关功耗随输出码变化的MATLAB仿真结果图。具体实施方式如图1所示，本发明公开了一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，其包括依次连接的电容阵列、比较器和控制逻辑电路，其中电容阵列包括连接到比较器正输入端的电容拆分结构的正向电容阵列和连接到比较器负输入端的电容拆分结构的反向电容阵列，比较器的输出端连接控制逻辑电路的输入端，正向电容阵列和反向电容阵列均采用电容拆分结构，且均包括MSB部分和LSB部分，MSB部分和LSB部分完全一致，均为二进制权重；正向电容阵列上极板通过采样开关SP与正输入端电压VINP相连，反向电容阵列上极板通过采样开关SN与负输入端电压VINN相连，正向电容阵列的下极板除LSB电容和dummy电容外分别通过选择开关与VREF、gnd以及反向电容阵列MSB部分和LSB部分的对应同等权重的电容的下极板相连接，正向电容阵列的LSB电容和dummy电容的下极板各自通过选择开关与VREF、Vaq、gnd以及反向电容阵列MSB部分或LSB部分的对应LSB电容和dummy电容的下极板连接，VREF基准电压，Vaq为参考电压，Vaq＝VREF4。进一步，模数转换器的MSB部分的最大电容随着模数转换器精度的增加而指数增加，且为2N-5C。当N＝10时，最大电容为32C。下面以5位的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器开关方法为例进行说明，其开关方法包括采样阶段和比较阶段，具体为；采样阶段：如图2所示，采样开关SP、SN导通，输入信号VINP、VINN分别采样到正向电容阵列和反向电容阵列的上极板，与此同时正向电容阵列中MSB部分的电容阵列下极板连接到gnd，LSB部分的电容阵列下极板连接到VREF；负输入电压VINN通过采样开关SN的导通连接到反向电容阵列的上极板，反向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF，LSB部分的电容阵列中所有下极板连接到gnd；比较阶段：采样结束后，采样开关SP、SN打开，电容上极板断开与输入信号的连接，该过程消耗的开关能量为0。开始第一次比较，如果VINP-VINN大于0，则输出数字码D4为1；如果VINP-VINN小于等于0，则输出数字码D4为0；如图3所示，如果D4为1，正向电容阵列中MSB部分所有电容下极板保持不变，LSB部分所有电容阵列下极板由VREF切换为VCM,VCM表示对应电容的下极板相连接，连接处电压为输入信号共模电压VCM；反向电容阵列中MSB部分所有电容阵列下极板保持不变，LSB部分所有电容下极板由gnd切换为VCM，该过程消耗的开关能量为-12CVREF2；如果D4为0，正向电容阵列中MSB部分所有电容阵列下极板由gnd切换为VCM，LSB部分所有电容下极板保持不变；反向电容阵列中MSB部分所有电容下极板由VREF切换为VCM，LSB部分所有电容阵列下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为-12CVREF2；接下来进行第二次比较，得到输出数字码D3。如果VINP-VINN大于VREF2，则输出数字码D3＝1；如果VINP-VINN大于0且小于等于VREF2，则输出数字码D3＝0；如果VINP-VINN大于-VREF2且小于等于0，则输出数字码D3＝1；如果VINP-VINN小于等于-VREF2，则输出数字码D3＝0；如图4所示，当D4D3＝11时，正向电容阵列中LSB部分LSB电容C的下极板由VCM切换为gnd，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；反向电容阵列中LSB部分LSB电容C的下极板由VCM切换为VREF，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为18CVREF2；当D4D3＝10时，正向电容阵列中LSB部分LSB电容C的下极板由VCM切换为VREF，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；反向电容阵列中LSB部分LSB电容C的下极板由VCM切换为gnd，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为58CVREF2；当D4D3＝01时，正向电容阵列中MSB部分LSB电容C的下极板由VCM切换为gnd，dummy电容和LSB部分所有电容下极板保持不变；反向电容阵列中MSB部分LSB电容C的下极板由VCM切换为VREF，dummy电容和LSB部分所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为58CVREF2；当D4D3＝00时，正向电容阵列中MSB部分LSB电容C的下极板由VCM切换为VREF，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；反向电容阵列中MSB部分LSB电容C的下极板由VCM切换为gnd，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为18CVREF2；接下来进行第三次比较，得到D2。如果VINP-VINN大于34VREF，则输出数字码D2＝1；如果VINP-VINN大于VREF2且小于等于34VREF，则输出数字码D2＝0；如果VINP-VINN大于14VREF且小于等于VREF2，则输出数字码D2＝1；如果VINP-VINN大于0且小于等于14VREF，则输出数字码D2＝0；如果VINP-VINN大于-14VREF且小于等于0，则输出数字码D2＝1；如果VINP-VINN大于-12VREF小于等于-14VREF，则输出数字码D2＝0；如果VINP-VINN大于-34VREF且小于等于-12VREF，则输出数字码D2＝1；如果VINP-VINN小于等于-34VREF，则输出数字码D2＝0；如图5所示，当D4D3D2＝111时，正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为18CVREF2；当D4D3D2＝110时，正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为12CVREF2；当D4D3D2＝101时，正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为14CVREF2；当D4D3D2＝100时，正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为38CVREF2；当D4D3D2＝011时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为38CVREF2；当D4D3D2＝010时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为14CVREF2；当D4D3D2＝001时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为12CVREF2；当D4D3D2＝000时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为18CVREF2；接下来进行第四次比较，得到D1。如果VINP-VINN大于78VREF，则输出数字码D1＝1；如果VINP-VINN大于34VREF且小于等于78VREF，则输出数字码D1＝0；如果VINP-VINN大于58VREF且小于等于34VREF，则输出数字码D1＝1；如果VINP-VINN大于12VREF且小于等于58VREF，则输出数字码D1＝0；如果VINP-VINN大于38VREF且小于等于12VREF，则输出数字码D1＝1；如果VINP-VINN大于14VREF且小于等于38VREF，则输出数字码D1＝0；如果VINP-VINN大于18VREF且小于等于14VREF，则输出数字码D1＝1；如果VINP-VINN大于0且小于等于18VREF，则输出数字码D1＝0；如果VINP-VINN大于-18VREF且小于等于0，则输出数字码D1＝1；如果VINP-VINN大于-14VREF且小于等于-18VREF，则输出数字码D1＝0；如果VINP-VINN大于-38VREF且小于等于-14VREF，则输出数字码D1＝1；如果VINP-VINN大于-12VREF且小于等于-38VREF，则输出数字码D1＝0；如果VINP-VINN大于-58VREF且小于等于-12VREF，则输出数字码D1＝1；如果VINP-VINN大于-34VREF且小于等于-58VREF，则输出数字码D1＝0；如果VINP-VINN大于-78VREF且小于等于-34VREF，则输出数字码D1＝1；如果VINP-VINN小于等于-78VREF，则输出数字码D1＝0；如图6或7所示，当D4D3D2D1＝1111时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝1110时，正向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝1101时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝1100时，正向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝1011时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝1010时，正向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝1001时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝1000时，正向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝0111时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝0110时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝0101时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝0100时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝0011时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝0010时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝0001时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；当D4D3D2D1＝0000时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，该过程消耗的开关能量为164CVREF2；接下来进行第五次比较，得到D0。如果VINP-VINN大于1516VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于78VREF且小于等于1516VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于1316VREF且小于等于78VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于34VREF且小于等于1316VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于1116VREF且小于等于34VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于58VREF且小于等于1116VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于916VREF且小于等于58VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于12VREF且小于等于916VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于716VREF且小于等于12VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于38VREF且小于等于716VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于516VREF且小于等于38VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于14VREF且小于等于516VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于316VREF且小于等于14VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于18VREF且小于等于316VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于116VREF且小于等于18VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于0且小于等于116VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于-116VREF且小于等于0，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于-18VREF且小于等于116VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于-316VREF且小于等于-18VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于-14VREF且小于等于-316VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于-516VREF且小于等于-14VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于-38VREF且小于等于-516VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于-716VREF且小于等于-38VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于-12VREF且小于等于-716VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于-916VREF且小于等于-12VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于-58VREF且小于等于-916VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于-1116VREF且小于等于-58VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于-34VREF且小于等于-1116VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于-1316VREF且小于等于-34VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN大于-78VREF且小于等于-1316VREF，则输出数字码D0＝0；如果VINP-VINN大于-1516VREF且小于等于-78VREF，则输出数字码D0＝1；如果VINP-VINN小于等于-1516VREF，则输出数字码D0＝0；如图8所示，以6位电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器为例，其在转换过程中DAC输出电压波形图。可以看到，除最后两个位转换周期，其共模电平一直保持在VREF2。如图9所示，以10位电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器为例，其在转换过程中开关能耗随数字输出码变化的MATLAB仿真结果图。可以看到，本发明所提出的开关方法能耗很低，为26.58CVREF2，与传统结构相比，节省了98％的平均能耗；需要256个单位电容C，电容总面积节省了87.5％，具备很好的经济效益。以上是对本发明的较佳实施方式进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

权利要求：1.一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：其包括依次连接的电容阵列、比较器和控制逻辑电路，其中电容阵列包括连接到比较器正输入端的电容拆分结构的正向电容阵列和连接到比较器负输入端的电容拆分结构的反向电容阵列，比较器的输出端连接控制逻辑电路的输入端，正向电容阵列和反向电容阵列均采用电容拆分结构，且均包括MSB部分和LSB部分，MSB部分和LSB部分完全一致，均为二进制权重；MSB部分和LSB部分包括N-5个高位电容、一个LSB电容和一个dummy电容，N-5个高位电容的容值依次降权，其中最高权重的高位电容的容值为2N-5C，N为模数转换器的精度且N为大于5的整数；正向电容阵列上极板通过采样开关SP与正输入端电压VINP相连，反向电容阵列上极板通过采样开关SN与负输入端电压VINN相连，正向电容阵列的下极板除LSB电容和dummy电容外分别通过选择开关与VREF、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的同等权重的电容的下极板相连接，正向电容阵列的LSB电容和dummy电容的下极板各自通过选择开关与VREF、Vaq、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的LSB电容和dummy电容的下极板对应连接；VREF基准电压，Vaq为参考电压，Vaq＝VREF4。2.根据权利要求1所述的一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：模数转换器的LSB电容和dummy电容均为单位电容，模数转换器总共包括2N-3个单位电容，N为模数转换器的精度。3.基于权利要求1或2所述的一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器的开关方法，其特征在于：其包括以下步骤；步骤1，采样阶段：正输入电压VINP通过采样开关SP的导通连接到正向电容阵列的上极板，正向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到gnd，LSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF；负输入电压VINN通过采样开关SN的导通连接到反向电容阵列的上极板，反向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF，LSB部分的电容阵列所有下极板连接到gnd；步骤2，构建每次计较的数字码DM的计算公式，M表示当前的比较序号，则针对具体的第M次的数字码DM计算公式如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；当M≥2且时，其中m为满足|m|＜2M-1的所有整数；则当VINP-VINN小于或等于时，DM＝0；步骤3，第一次比较：采样开关SP、SN断开，开始第一次比较获取数字码D1；当VINP大于VINN时，数字码D1＝1；当VINP小于等于VINN时，数字码D1＝0；当D1＝1，则正向电容阵列的LSB部分的所有电容的下极板和反向电容阵列的LSB部分的所有电容的下极板连接到VCM，VCM表示对应电容的下极板相连接，VCM＝VREF2；即比较器正输入端电压减少了VREF4，比较器负输入端电压增加了VREF4；反之D1＝0，正向电容阵列的MSB部分的所有电容的下极板和反向电容阵列的MSB部分的所有电容的下极板连接到VCM，即比较器正输入端电压增加了VREF4，比较器负输入端电压减少了VREF4；步骤4，依次进行第二次至第N-3次比较，N为模数转换器的精度：每次计较时先通过DM计算公式计算该次比较的数字码DM；再确定该次比较对应的权重电容，其中第二次比较对应的权重电容为正向电容阵列和反向电容阵列的对应部分的最大权重的高位电容；随着比较次数的增加该次比较对应的电容的权重依次降低，则每次比较对应的转换器开关切换关系如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；则正向电容阵列的LSB部分与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；当m为满足|m|＜2M-1的所有整数；则对应的开关切换如下：当D1＝1且DM＝1，则正向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；反向电容阵列中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；当D1＝1且DM＝0，则正向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DM＝1，则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DM＝0，则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；当VINP-VINN小于或等于时，DM＝0；则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；步骤5，进行第N-2次比较，则该次比较对应的转换器开关切换关系如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变；当m为满足|m|＜2N-3的所有整数；则对应的开关切换如下：当D1＝1且DN-2＝1，则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变；当D1＝1且DN-2＝0，则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DN-2＝1，则正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DN-2＝0，则正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；当VINP-VINN小于或等于时，DN-2＝0；则正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，LSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；步骤6，进行第N-1次比较，采用DM计算公式获得第N-1次比较的数字码DN-1的值；则第N-1次比较时转换器开关切换关系如下：若D1＝1且DN-1＝1时，正向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变；若D1＝1且DN-1＝0时，正向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中所有电容下极板保持不变；若D1＝0且DN-1＝1时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中MSB部分的dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，其余电容下极板保持不变；若D1＝0且DN-1＝0时，正向电容阵列中所有电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从Vaq切换到gnd，其余电容下极板保持不变；步骤7，进行第N次比较，采用DM计算公式计算获得第N次比较的数字码DN并输出，结束转换。

百度查询： 福建工程学院 一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器及其开关方法

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