申请/专利权人：先进工程解决方案全球控股私人有限公司

申请日：2018-11-16

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN111788655B

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;H01L21/683

优先权：["20171117 US 62/588,224"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：公开了用于等离子体处理的系统和方法。一种示例性系统可以包括等离子体处理室，其包括在该处理室中产生等离子体的源以及布置在该等离子体处理室内的至少两个偏置电极，所述至少两个偏置电极用于控制接近所述偏置电极的等离子体鞘层。卡盘被设置为支撑衬底，并且源生成器耦合至等离子体电极。至少一个偏置电源耦合至所述至少两个偏置电极，并且控制器被包括为控制所述至少一个偏置电源，以控制接近偏置电极的等离子体鞘层。

主权项：1.一种用于等离子体处理的系统，所述系统包括：等离子体处理室，所述等离子体处理室包括：源，所述源用于在所述处理室中提供等离子体；布置在所述等离子体处理室内的至少两个偏置电极，所述至少两个偏置电极用于控制接近所述偏置电极的等离子体鞘层；以及卡盘，所述卡盘被设置为支撑衬底；至少一个偏置电源，所述至少一个偏置电源耦合至所述至少两个偏置电极；以及控制器，所述控制器用于控制所述至少一个偏置电源，以向所述至少两个偏置电极中的每个施加非对称周期性电压波形，从而控制接近所述偏置电极的所述等离子体鞘层，其中，所述非对称周期性电压波形的每个周期包括具有增加到第一电压电平的电压的第一部分、处于所述第一电压电平的第二部分、具有从所述第一电压电平减小到第二电压电平的电压的第三部分、以及具有从所述第二电压电平进一步减小的电压的第四部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 对等离子体处理的离子偏置电压的空间和时间控制

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