申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2021-11-17

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN114068681B

主分类号：H01L29/16

分类号：H01L29/16;H01L29/167;H01L29/872;H01L21/329

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2022.03.08#实质审查的生效;2022.02.18#公开

摘要：基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法，它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层，在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层，选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧，选择性生长金属掩膜作为欧姆电极，在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极，欧姆电极作为信号输出端；欧姆电极通过导线连接负载电阻，在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作，实现逻辑与门的功能。

主权项：1.基于准垂直型金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件，其特征在于该基于准垂直型金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件包括金刚石衬底1、掺硼或者掺磷金刚石层2、选择性生长金属掩膜3、选择性同质外延生长层4和肖特基电极，在金刚石衬底1上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层2，在掺硼或者掺磷金刚石层2表面上沉积有选择性生长金属掩膜3和选择性同质外延生长层4，选择性生长金属掩膜3和选择性同质外延生长层4位于掺硼或者掺磷金刚石层2表面的左右两侧，选择性生长金属掩膜3作为欧姆电极，在选择性同质外延生长层4上沉积至少两个肖特基电极作为信号输入端，欧姆电极作为信号输出端；欧姆电极通过导线连接负载电阻8，在负载电阻8的另一端施加偏置电压9；其中掺硼或者掺磷金刚石层2的掺杂浓度高于选择性同质外延生长层4的掺杂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法

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