申请/专利权人：福建华佳彩有限公司

申请日：2018-10-18

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN109300963B

主分类号：H10K59/40

分类号：H10K59/40;H10K59/12;H01L21/77

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2019.03.01#实质审查的生效;2019.02.01#公开

摘要：本发明涉及AMOLED技术领域，特别涉及一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构及其制备方法，包括电容区域结构的玻璃层、第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层，所述第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层依次设置在所述玻璃层表面，所述半导体层与透明导电层分别作为电容区域结构的电容两电极。将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构，由透明导电层和半导体层构成电容结构的两极板，进而形成屏下指纹识别所需的避让区，提升集成新功能，实现光学式屏下指纹识别的设计。

主权项：1.一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构，其特征在于，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层，所述第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层依次设置在所述玻璃层表面，所述半导体层与透明导电层分别作为电容区域结构的电容两电极；还包括TFT1区域结构和TFT2区域结构；所述TFT2区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和透明导电层，所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和透明导电层依次设置在所述玻璃层表面；所述第二绝缘层上设有两个第一过孔，所述第一绝缘层和第二绝缘层分别对应第一金属层的位置设有一个子连接过孔，两个所述子连接过孔相对设置且连通，所述第一绝缘层和第二绝缘层分别对应第一金属层的位置还设有一个子节点过孔，两个所述子节点过孔相对设置且连通；所述第二金属层分别填充于所述第一过孔、子连接过孔和子节点过孔中，所述第一过孔中填充的第二金属层与所述半导体层远离玻璃层的一侧面接触，所述子连接过孔和子节点过孔中填充的第二金属层均与所述第一金属层远离玻璃层的一侧面接触；所述电容区域结构的电容间距为所述第三绝缘层的厚度；所述TFT1区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦化层、第三金属层和画素定义层，所述TFT1区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦化层、第三金属层和画素定义层依次设置在所述TFT1区域结构的玻璃层表面。

全文数据：基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构及其制备方法技术领域本发明涉及AMOLED技术领域，特别涉及一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构及其制备方法。背景技术现如今，屏幕不再单纯只为用户传递图片、视频等咨询，科技研发人员不断赋予显示屏新的附加功能，例如目前受到热捧的屏幕指纹识别技术。虽然屏幕指纹识别的提出很早，且投入研发的公司也很多，但目前市面上销售的屏幕指纹识别暂时只有vivoX20采用光学式屏下指纹识别，该技术方案相对于超声波指纹识别具有更好的功耗且模组厚度上有优势。但光学式屏下指纹识别同样要求搭载AMOLED显示屏，同时在画素区域需做器件避让，使得指纹反射光可以穿透过避让区到达屏幕下方的光敏传感器，实现指纹信息的收集以便进一步的识别与操作。随着分辨率的提升，sub-pixel亚像素尺寸不断缩小，在不断挑战制程和设计限制的同时还要设置屏下指纹识别的避让区，将限制屏下指纹识别在高分辨率AMOLED显示技术中的应用。发明内容本发明所要解决的技术问题是：提供一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构及其制备方法，形成屏下指纹识别所需的避让区。为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层，所述第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层依次设置在所述玻璃层表面，所述半导体层与透明导电层分别作为电容区域结构的电容两电极。本发明采用的第二种技术方案为：一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一电容区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一绝缘层；S2、形成一半导体层，且所述半导体层覆盖于第一绝缘层表面；S3、形成一第三绝缘层，且所述第三绝缘层覆盖于半导体层表面；S4、形成一透明导电层，且所述透明导电层覆盖于第三绝缘层表面。本发明的有益效果在于：将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构，由透明导电层和半导体层构成电容结构的两电极板，进而形成屏下指纹识别所需的避让区，提升集成新功能，实现光学式屏下指纹识别的设计。附图说明图1为根据本发明的一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的剖面结构示意图；图2为根据本发明的一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的制备方法的步骤流程图；图3为根据本发明的一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的补偿电路原理图；标号说明：1、TFT1区域结构；2、TFT2区域结构；3、电容区域结构；4玻璃层；5、第一金属层；6、第一绝缘层；7、半导体层；8、第二绝缘层；9、第二金属层；10、第三绝缘层；11、透明导电层；12、平坦化层；13、第三金属层；14、画素定义层；15、有机发光材料；C1、第一电容；T1、第一薄膜场效应晶体管；T2、第一薄膜场效应晶体管；Data、数据信号；VDD、电源电压信号；Gate、栅极扫面信号；A、第一节点；B、第二节点。具体实施方式为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。本发明最关键的构思在于：将AMOLED显示结构的电容区域结构设置为透明结构，从而形成屏下指纹识别避让区。请参照图1至图2，本发明提供的一种技术方案：一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层，所述第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层依次设置在所述玻璃层表面，所述半导体层与透明导电层分别作为电容区域结构的电容两电极。从上述描述可知，本发明的有益效果在于：将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构，由透明导电层和半导体层构成电容结构的两电极板，进而形成屏下指纹识别所需的避让区，提升集成新功能，实现光学式屏下指纹识别的设计。进一步的，还包括TFT2区域结构；所述TFT2区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和透明导电层，所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和透明导电层依次设置在所述玻璃层表面；所述第二绝缘层上设有两个第一过孔，所述第一绝缘层和第二绝缘层分别对应第一金属层的位置设有一个子连接过孔，两个所述子连接过孔相对设置且连通，所述第一绝缘层和第二绝缘层分别对应第一金属层的位置还设有一个子节点过孔，两个所述子节点过孔相对设置且连通；所述第二金属层分别填充于所述第一过孔、子连接过孔和子节点过孔中，所述第一过孔中填充的所述第二金属层与所述半导体层远离玻璃层的一侧面接触，所述子连接过孔和子节点过孔中填充的所述第二金属层均与所述第一金属层远离玻璃层的一侧面接触。进一步的，所述电容区域结构的电容间距为所述第三绝缘层的厚度。由上述描述可知，减小电容的绝缘层厚度，进而实现单位面积电容量的提升，有利于实现更宽的制程条件和更高分辨率AMOLED显示技术。进一步的，所述透明导电层的材料为ITO。由上述描述可知，ITO即铟锡氧化物，是一种半导体透明导电膜，具有很好的导电性和透明性，由于ITO的高透光率，能更有益于形成指纹识别所需的避让区。进一步的，所述半导体层的氧化物介质为IGZO由上述描述可知，IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率高，可以大大提高场效应晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率。本发明提供的另一种技术方案：一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一电容区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一绝缘层；S2、形成一半导体层，且所述半导体层覆盖于第一绝缘层表面；S3、形成一第三绝缘层，且所述第三绝缘层覆盖于半导体层表面；S4、形成一透明导电层，且所述透明导电层覆盖于第三绝缘层表面。从上述描述可知，本发明的有益效果在于：将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构，形成屏下指纹识别所需的避让区，进而提升集成新功能，实现光学式屏下指纹识别的设计。进一步的，所述电容区域结构的电容间距为所述第三绝缘层的厚度。由上述描述可知，减小电容的绝缘层厚度，进而实现单位面积电容量的提升，有利于实现更宽的制程条件和更高分辨率AMOLED显示技术。进一步的，所述透明导电层的材料为ITO。由上述描述可知，ITO即铟锡氧化物，是一种半导体透明导电膜，具有很好的导电性和透明性，由于ITO的高透光率，能更有益于形成指纹识别所需的避让区。进一步的，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。由上述描述可知，IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率高，可以大大提高场效应晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率。请参照图1和图3，本发明的实施例一为：一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构，包括TFT1区域结构1、TFT2区域结构2和电容区域结构3；所述电容区域结构包括玻璃层4、第一绝缘层5、半导体层7、第三绝缘层8和透明导电层11，所述电容区域结构3的第一绝缘层5、半导体层7、第三绝缘层8和透明导电层11依次设置在所述电容区域结构3的玻璃层4表面，所述电容区域结构3的半导体层7与透明导电层11分别作为电容区域结构3的电容两电极。所述电容区域结构3的电容间距为所述第三绝缘层10的厚度，所述电容区域结构3的透明导电层11的材料为ITO，一种高导电性和透明性的半导体透明导电膜，所述电容区域结构3的半导体层7的氧化物介质为IGZO，光线由所述TFT1区域结构1的有机发光材料15发出，手指反射后透过所述电容区域结构3的电容到达屏幕下方的指纹识别传感器处，进而探测到指纹信号。所述TFT2区域结构2包括玻璃层4、第一金属层5、第一绝缘层6、半导体层7、第二绝缘层8、第二金属层9、第三绝缘层10和透明导电层11，所述TFT2区域结构2的第一金属层5、第一绝缘层6、半导体层7、第二绝缘层8、第二金属层9、第三绝缘层10和透明导电层11依次设置在所述TFT2区域结构2的玻璃层4表面；所述TFT2区域结构2的第二绝缘层8上设有两个第一过孔，所述TFT2区域结构2的第一绝缘层6和第二绝缘层8分别对应TFT2区域结构2的第一金属层5的位置设有一个子连接过孔，两个所述子连接过孔相对设置且连通，所述TFT2区域结构2的第一绝缘层6和第二绝缘层8分别对应TFT2区域结构2的第一金属层5的位置还设有一个子节点过孔，两个所述子节点过孔相对设置且连通；所述TFT2区域结构2的第二金属层9分别填充于所述第一过孔、子连接过孔和子节点过孔中，所述第一过孔中填充的第二金属层9与所述TFT2区域结构2的半导体层7远离玻璃层4的一侧面接触，所述子连接过孔和子节点过孔中填充的第二金属层9均与所述第一金属层5远离玻璃层4的一侧面接触；所述TFT2区域结构2的第三绝缘层10上设有一第一信号过孔，所述TFT2区域结构2的透明导电层11填充于所述第一信号过孔中且与所述TFT2区域结构2的第二金属层9远离玻璃层4的一侧面接触；所述TFT2区域结构2还包括平坦化层12和第三金属层13，所述TFT2区域结构2的第三绝缘层10上还设有一第二过孔，所述TFT2区域结构2的平坦化层12上设有一第三过孔和一第二信号过孔，所述第三过孔对应第二过孔设置，所述第二信号对应设置，所述TFT2区域结构2的第三金属层9分别填充于所述第三过孔和第二信号过孔中，所述第二信号过孔中填充的第三金属层13与所述TFT2区域结构2的透明导电层11远离玻璃层4的一侧面接触，所述第三过孔中填充的第三金属层13与所述TFT2区域结构2的第二金属层9远离玻璃层4的一侧面接触。所述所述TFT1区域结构1包括玻璃层4、第一金属层5、第一绝缘层6、半导体层7、第二绝缘层8、第二金属层9、第三绝缘层10、平坦化层12、第三金属层13和画素定义层14，所述TFT1区域结构1的第一金属层5、第一绝缘层6、半导体层7、第二绝缘层8、第二金属层9、第三绝缘层10、平坦化层12、第三金属层13和画素定义层14依次设置在所述TFT1区域结构1的玻璃层4表面；所述TFT1区域结构1的第二绝缘层8上设有两个第一过孔，分别为源极过孔和漏极过孔，所述TFT1区域结构1的第一金属层5分别填充于两个第一过孔中且与所述TFT1区域结构1的半导体层7远离玻璃层4的一侧面接触，所述TFT1区域结构1的画素定义层14上设有一个第四过孔，所述第四过孔中填满有机发光材料15。所述AMOLED显示结构的补偿电路连接方式如下：所述AMOLED显示结构的补偿电路包括第一电容C1、第一薄膜场效应晶体管T1、第二薄膜场效应晶体管T2、数据信号Data、电源电压信号VDD、栅极扫面信号Gate、第一节点A和第二节点B；所述第一电容C1的一端分别与所述电源电压信号VDD和第二薄膜场效应晶体管T2的漏极电连接，所述第一电容C1的另一端通过所述第二节点B分别与所述第一薄膜场效应晶体管T1的漏极和第二薄膜场效应晶体管T2的栅极电连接，所述第一薄膜场效应晶体管T1的栅极与所述栅极扫面信号Gate电连接，所述第一薄膜场效应晶体管T1的源极与所述数据信号Data电连接，所述第二薄膜场效应晶体管T2的源极与所述第一节点A电连接。上述的AMOLED显示结构的补偿电路对应AMOLED显示结构的剖面结构，所述TFT1区域结构1的第一金属层5对应所述补偿电路的栅极扫面信号Gate，所述TFT1区域结构1的源极过孔中填充的第二金属层9对应数据信号Data，所述TFT2区域结构2的子第二过孔中填充的第三金属层13对应所述补偿电路的第一节点A，所述TFT2区域结构2的第二信号过孔中填充的第三金属层13对应所述补偿电路的电源电压信号VDD，所述TFT2区域结构的子节点过孔中填充的第二金属层9对应所述补偿电路的第二节点B。请参照图2，本发明的实施例二为：一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一电容区域结构3的玻璃层4，且在玻璃层4表面上覆盖有第一绝缘层6；S2、形成一半导体层7，且所述半导体层7覆盖于第一绝缘层6表面；所述半导体层的氧化物介质为IGZO。S3、形成一第三绝缘层10，且所述第三绝缘层10覆盖于半导体层7表面；S4、形成一透明导电层11，且所述透明导电层11覆盖于第三绝缘层10表面。所述透明导电层的材料为ITO。其中，所述电容区域结构的电容间距为所述第三绝缘层的厚度。综上所述，本发明提供的一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构及其制备方法，将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构，由透明导电层和半导体层构成电容结构的两极板，进而形成屏下指纹识别所需的避让区，提升集成新功能，实现光学式屏下指纹识别的设计。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

权利要求：1.一种基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构，其特征在于，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层，所述第一绝缘层、半导体层、第三绝缘层和透明导电层依次设置在所述玻璃层表面，所述半导体层与透明导电层分别作为电容区域结构的电容两电极。2.根据权利要求1所述的基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构，其特征在于，还包括TFT2区域结构；所述TFT2区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和透明导电层，所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和透明导电层依次设置在所述玻璃层表面；所述第二绝缘层上设有两个第一过孔，所述第一绝缘层和第二绝缘层分别对应第一金属层的位置设有一个子连接过孔，两个所述子连接过孔相对设置且连通，所述第一绝缘层和第二绝缘层分别对应第一金属层的位置还设有一个子节点过孔，两个所述子节点过孔相对设置且连通；所述第二金属层分别填充于所述第一过孔、子连接过孔和子节点过孔中，所述第一过孔中填充的第二金属层与所述半导体层远离玻璃层的一侧面接触，所述子连接过孔和子节点过孔中填充的第二金属层均与所述第一金属层远离玻璃层的一侧面接触。3.根据权利要求1所述的基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构，其特征在于，所述电容区域结构的电容间距为所述第三绝缘层的厚度。4.根据权利要求1所述的基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构，其特征在于，所述透明导电层的材料为ITO。5.根据权利要求1所述的基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构，其特征在于，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。6.一种权利要求1所述的基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一电容区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一绝缘层；S2、形成一半导体层，且所述半导体层覆盖于第一绝缘层表面；S3、形成一第三绝缘层，且所述第三绝缘层覆盖于半导体层表面；S4、形成一透明导电层，且所述透明导电层覆盖于第三绝缘层表面。7.根据权利要求6所述的基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的制备方法，其特征在于，所述电容区域结构的电容间距为所述第三绝缘层的厚度。8.根据权利要求6所述的基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的制备方法，其特征在于，所述透明导电层的材料为ITO。9.根据权利要求6所述的基于屏下指纹识别的AMOLED显示结构的制备方法，其特征在于，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。

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