申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-08-25

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN112054061B

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L29/06;H01L21/762;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2020.12.25#实质审查的生效;2020.12.08#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及制作方法，该部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构，包括：底硅层、位于底硅层上的埋氧层、埋氧层上方的体区、源区、漏区、P+体接触区以及两个第一浅沟槽隔离区；体区位于所述埋氧层上方中部；源区和所述漏区分别位于体区相对的两端，两个第一浅沟槽隔离区分别嵌入体区另一相对的两端，且两个第一浅沟槽隔离区的深度小于体区的深度；P+体接触区位于源区外侧且位于埋氧层上方，使得体区与P+体接触区连接，在体区内积累的空穴会泄露到该P+体接触区，能够更好的钳制体区电位，使得阈值电压不会大幅降低，寄生双极晶体管也不易于被触发导通，进而能够很好地抑制浮体效应。

主权项：1.一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构，其特征在于，包括：底硅层、位于底硅层上的埋氧层、所述埋氧层上方的体区、源区、漏区、P+体接触区以及两个第一浅沟槽隔离区；所述体区位于所述埋氧层上方中部；所述源区和所述漏区分别位于所述体区相对的两端，所述两个第一浅沟槽隔离区分别嵌入所述体区另一相对的两端，且所述两个第一浅沟槽隔离区的深度小于所述体区的深度；所述P+体接触区位于所述源区外侧且位于所述埋氧层上方，与所述体区相接触；还包括：位于所述埋氧层上方，且位于所述两个第一浅沟槽隔离区外侧、所述漏区外侧和所述P+体接触区外侧的环形第二浅沟槽隔离区，所述第二浅沟槽隔离区的深度大于所述第一浅沟槽隔离区的深度，且所述第二浅沟槽隔离区的深度到达所述埋氧层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法

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