申请/专利权人：河北光兴半导体技术有限公司;北京盛达众安科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117862528A

主分类号：B22F10/28

分类号：B22F10/28;B22F10/64;B33Y10/00;B33Y40/20;B33Y30/00;B33Y70/10;B22F3/26;C22C1/051;C22C29/06;C23C10/22;B22F10/62

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及铝碳化硅制备技术领域，公开了一种铝碳化硅预制件的制作方法以及铝碳化硅增材制造设备。铝碳化硅预制件的制作方法包括以下步骤：步骤1，铺设碳化硅颗粒以形成碳化硅颗粒层；步骤2，向碳化硅颗粒层喷射粘结剂，使粘结剂固化，形成由碳化硅颗粒和固化后的粘结剂构成的骨架层；步骤3，向骨架层上铺设球形铝粉；步骤4，选区激光熔化步骤3中铺设的铝粉；步骤5，多次重复步骤1至4制得铝碳化硅坯体；步骤6，烧结铝碳化硅坯体，然后加热渗铝制得成品铝碳化硅。本发明提供的铝碳化硅预制件的制作方法具有渗铝简单、易加工的优点，便于制成复杂件、异形件和大型构件，而且制得的铝碳化硅预制件具有较高的散热效率。

主权项：1.一种铝碳化硅预制件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，铺设碳化硅颗粒以形成碳化硅颗粒层；步骤2，向碳化硅颗粒层喷射粘结剂，使粘结剂固化，形成由碳化硅颗粒和固化后的粘结剂构成的骨架层；步骤3，向骨架层上铺设球形铝粉；步骤4，选区激光熔化步骤3中铺设的铝粉；步骤5，多次重复步骤1至4制得铝碳化硅坯体；步骤6，烧结铝碳化硅坯体，然后加热渗铝制得成品铝碳化硅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 河北光兴半导体技术有限公司;北京盛达众安科技有限公司 铝碳化硅预制件的制作方法以及铝碳化硅增材制造设备

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