申请/专利权人：王蔚瑾

申请日：2024-02-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117872690A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明的电子光刻机，是由透射过光掩膜的散射电子流使硅片上的光刻胶发生电子光反应，或透射过光掩膜或由光掩膜反射的散射电子流经磁透镜聚焦成像于硅片上的光刻胶使硅片上的光刻胶发生电子光反应的散射电子光刻机。散射电子光刻机所采用的是电子显微镜技术，结构远比极紫外光EUV光刻机简单，技术方案成熟，电子在真空中衍射特性极低，其路径能保持直线，技术难度也小，散射电子的能量比较分散，对光掩膜的破坏小，一次就能电子光刻一个很大的面积，在技术上能做到比EUV光刻速度高，散射电子流的波长远比极紫外光EUV小，电子光刻精度比极紫外光EUV大，可轻松达到几纳米的精度。

主权项：1.一种散射电子光刻装置，其特征是散射电子流照射光掩膜，由透射过光掩膜的散射电子流使硅片上的光刻胶发生电子光反应，或透射过光掩膜的散射电子流经一个或多个磁透镜聚焦成像于硅片上的光刻胶使硅片上的光刻胶发生电子光反应，或由光掩膜反射的散射电子流经一个或多个磁透镜聚焦成像于硅片上的光刻胶使硅片上的光刻胶发生电子光反应。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 王蔚瑾 散射电子光刻机

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