申请/专利权人：得一微电子股份有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877556A

主分类号：G11C16/34

分类号：G11C16/34;G11C16/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种闪存刷新方法、设备及计算机可读存储介质，所述闪存刷新方法包括以下步骤：在基于初始读取电压值读取数据出错时，获取出错数据的出错数量和块信息；在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压；基于调整后的读取电压值再次读取所述数据，若再次读取的所述数据的出错数量大于或等于所述预设阈值时，触发闪存刷新操作。本发明通过以上步骤，通过在数据的比特出错数达到阈值时，进行刷新，能够减少闪存中坏块的数量，提升闪存的使用寿命以及可存储的数据量。

主权项：1.一种闪存刷新方法，其特征在于，所述闪存刷新方法包括以下步骤：在基于初始读取电压值读取数据出错时，获取出错数据的出错数量和块信息；在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压；基于调整后的读取电压值再次读取所述数据，若再次读取的所述数据的出错数量大于或等于所述预设阈值时，触发闪存刷新操作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 得一微电子股份有限公司 闪存刷新方法、设备及计算机可读存储介质

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