申请/专利权人：武汉理工大学

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117871562A

主分类号：G01N23/20

分类号：G01N23/20;G16C60/00;G01B15/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开一种5N级高纯石英晶格中杂质去除难易程度的评价方法，包括以下步骤：S1.对待评估石英原料进行XRD测试，得到优化后待评估石英晶胞模型及晶胞体积VB；S2.计算优化后待评估石英晶胞模型的Si‑O四面体的平均体积Vt；S3.基于所述优化后待评估石英晶胞模型的晶胞体积VB与Si‑O四面体的平均体积Vt，得到优化后待评估石英晶胞模型的间隙体积Vi；S4.计算数据库内平均晶格间隙体积，根据所述数据库内平均晶格间隙体积与Vi之间的大小关系，判定利用待评估石英原料晶格除杂生成5N级石英的难易程度；此方法可以从原子级别计算出石英原料中的间隙体积，直观地评估石英原料利用晶格除杂生成5N级石英的去除难易程度。

主权项：1.一种5N级高纯石英晶格中杂质去除难易程度的评价方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.对待评估石英原料进行XRD测试，并利用MaterialsStudio软件构建待评估石英的晶胞模型，然后在Fine计算参数下进行晶胞几何优化计算，得到优化后待评估石英晶胞模型，并通过Lattice3D选项得到优化后待评估石英晶胞模型的晶胞体积VB；S2.通过MaterialsStudio软件计算优化后待评估石英晶胞模型中Si-O键的平均键长和∠O-O-Si的平均键角，再根据公式1计算优化后待评估石英晶胞模型的Si-O四面体的平均体积Vt； 其中，LSi-O为优化后待评估石英晶胞模型中Si-O键的平均键长，AO-O-Si为优化后待评估石英晶胞模型中∠O-O-Si的平均键角；S3.基于所述优化后待评估石英晶胞模型的晶胞体积VB与Si-O四面体的平均体积Vt，得到优化后待评估石英晶胞模型的间隙体积Vi；S4.集合多个5N级石英砂原料的晶格间隙体积数据作为数据库，并计算数据库内平均晶格间隙体积，根据所述数据库内平均晶格间隙体积与优化后待评估石英晶胞模型的间隙体积Vi之间的大小关系，判定利用待评估石英原料晶格除杂生成5N级石英的难易程度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉理工大学 一种5N级高纯石英晶格中杂质去除难易程度的评价方法

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