申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117872544A

主分类号：G02B6/42

分类号：G02B6/42;G02B6/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供了一种硅‑锆钛酸铅异质光电融合单片集成系统，涉及光电集成技术领域，包括：硅‑锆钛酸铅晶圆和光电集成系统链路，硅‑锆钛酸铅晶圆包括的硅衬底、二氧化硅埋氧层、硅薄膜层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长，锆钛酸铅薄膜层平行于硅薄膜层并内设于二氧化硅包埋层中部；光电集成系统链路包括第一光路器件、第二光路器件和电路器件，第一光路器件和电路器件设于硅薄膜层上，第二光路器件设于锆钛酸铅薄膜层上；第一光路器件与第二光路器件进行光信号传输，电路器件与第一光路器件、第二光路器件进行电信号传输。本发明能够解决现有纯硅CMOS兼容光电集成系统传输带宽受限的问题。

主权项：1.一种硅-锆钛酸铅异质光电融合单片集成系统，其特征在于，包括：硅-锆钛酸铅晶圆，包括硅衬底（1）、二氧化硅埋氧层（2）、硅薄膜层（3）、二氧化硅包埋层（4）和锆钛酸铅薄膜层（5），所述硅衬底（1）、二氧化硅埋氧层（2）、硅薄膜层（3）和二氧化硅包埋层（4）从下至上依次生长，所述锆钛酸铅薄膜层（5）平行于所述硅薄膜层（3）并内设于所述二氧化硅包埋层（4）中部，所述锆钛酸铅薄膜层（5）与所述硅薄膜层（3）通过所述二氧化硅包埋层（4）间隔设置；光电集成系统链路，包括第一光路器件、第二光路器件和电路器件，所述第一光路器件和所述电路器件设于所述硅薄膜层（3）上，所述第二光路器件设于所述锆钛酸铅薄膜层（5）上；其中，所述第一光路器件与第二光路器件进行光信号传输，所述电路器件与所述第一光路器件、所述第二光路器件进行电信号传输。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 硅-锆钛酸铅异质光电融合单片集成系统

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