申请/专利权人：合肥安赛思半导体有限公司

申请日：2024-03-13

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117879326A

主分类号：H02M1/088

分类号：H02M1/088;H02M3/07

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及电力电子技术领域，公开了一种多电平驱动信号的GaN_FET并联均流控制电路及方法，包括：多电平发生模块、栅极驱动模块、主功率模块、电流监测模块、控制模块，通过上述技术方案，通过电流监测模块和控制模块对流过每个功率模块单元的电流进行采样和计算，分别得到各有效值与峰值，计算得到有效值与峰值的不均衡度后，可以计算得到下一个开关时刻需要的驱动电压信号VCC，然后对应调节多电平生成模块改变输出电压VCC，从而可以改变功率模块单元的开通时间，从而影响三个功率模块单元的电流均衡度。

主权项：1.一种多电平驱动信号的GaN_FET并联均流控制电路，其特征在于，包括：多电平发生模块，用于响应调节指令生成指定幅值的驱动电压信号VCC和负电压信号VEE；栅极驱动模块，与所述多电平发生模块连接，用于根据所述驱动电压信号VCC和所述负电压信号VEE以及PWM驱动信号输出对应的栅极驱动信号；主功率模块，包括多组与所述栅极驱动模块连接的功率模块单元，每个所述功率模块单元用于根据对应的所述栅极驱动信号实现开通与关断，并根据对应的所述驱动电压信号VCC的幅值变化实现开通与关断速度的调整；电流监测模块，与所述主功率模块和控制模块连接，用于获取代表通过所述主功率模块的晶体管电流的模拟反馈信号，并将所述模拟反馈信号发送所述控制模块；控制模块，与所述多电平发生模块和所述栅极驱动模块以及所述电流监测模块连接，用于根据所述模拟反馈信号计算下一个开关时刻需要的驱动电压信号VCC，发出所述调节指令和PWM驱动信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥安赛思半导体有限公司 一种多电平驱动信号的GaN_FET并联均流控制电路及方法

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