申请/专利权人：中硼(厦门)医疗器械有限公司

申请日：2023-09-05

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877781A

主分类号：G21K1/00

分类号：G21K1/00;A61N5/10;G21K1/06

优先权：["20221010 CN 2022112325206"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明一方面涉及一种用于中子捕获治疗系统的射束整形体，包括：缓速体，用于将中子射束的中子减速至超热中子；包围缓速体的反射体，用于将偏离中子射束的中子反射回中子射束以提高中子射束强度；及超热中子通量增强体，用于提高中子射束中的超热中子通量，设置于缓速体中和或反射体中和或缓速体与反射体之间。本发明的另一方面涉及一种包含上述射束整形体的中子捕获治疗系统。通过在射束整形体中设置超热中子通量增强体，增加中子射束中的超热中子通量，改善中子射源的通量与品质。

主权项：1.一种射束整形体，用于中子捕获治疗系统，其特征在于，所述射束整形体包括：缓速体，用于将中子射束的中子减速至超热中子，所述中子射束限定射束轴线，所述缓速体沿着所述射束轴线延伸第一预设长度并且沿着所述射束轴线的径向方向延伸第一预设宽度；反射体，包围所述缓速体，用于将偏离中子射束的中子反射回中子射束以提高中子射束强度，至少部分反射体沿着所述射束轴线延伸第二预设长度并且在所述缓速体之外沿着所述射束轴线的径向方向延伸第二预设宽度；及超热中子通量增强体，用于提高中子射束中的超热中子通量，设置于所述缓速体中和或所述反射体中和或所述缓速体与所述反射体之间，所述超热中子通量增强体沿着所述射束轴线延伸第三预设长度并且沿着所述射束轴线的径向方向延伸第三预设宽度，其中，所述第三预设宽度小于所述第一预设宽度与所述第二预设宽度之和；所述射束整形体还包括：射束入口，用于带电粒子束的射入；射束出口，用于所述中子射束的射出；所述射束入口、所述缓速体和所述射束出口沿着所述射束轴线延伸方向设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中硼(厦门)医疗器械有限公司 射束整形体及中子捕获治疗系统

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