申请/专利权人：豪威科技股份有限公司

申请日：2023-10-10

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877434A

主分类号：G09G3/36

分类号：G09G3/36;G09G3/32;G11C11/413;G11C7/12

优先权：["20221010 US 17/962,956"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：一种新颖的位存储电路包括第一电压供应线、第二电压供应线、位线、锁存器、第一开关晶体管和阻断晶体管。锁存器包括输入和输出。第一开关晶体管包含第一端子、第二端子及控制端子。第一开关晶体管可操作以响应于在第一开关晶体管的控制端子上被断言的第一控制信号而在位线和锁存器的输入之间提供导电路径和非导电路径。阻断晶体管包括控制端子，并且可操作以响应于第二控制信号在锁存器的输入和第二电压供应线之间选择性地提供导电路径和非导电路径。阻断晶体管便于使用单个位线。

主权项：1.一种位存储电路，其包括：第一电压供应线；第二电压供应线；位线；锁存器，所述锁存器具有输入和输出；第一开关晶体管，所述第一开关晶体管具有第一端子、第二端子和控制端子，所述第一开关晶体管可操作以响应于在所述第一开关晶体管的所述控制端子上断言的第一控制信号而在所述位线与所述锁存器的所述输入之间选择性地提供导电路径和非导电路径；阻断晶体管，所述阻断晶体管包括控制端子且可操作以响应于第二控制信号而在所述锁存器的所述输入与所述第二电压供应线之间选择性地提供导电路径和非导电路径。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 豪威科技股份有限公司 单个位线SRAM像素及其驱动方法

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