申请/专利权人：京瓷技术公司

申请日：2022-09-01

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882295A

主分类号：H03H3/013

分类号：H03H3/013;H03H9/02;H03H9/24

优先权：["20210903 FI 20215933"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：一种MEMS微机电系统谐振器150包括衬底105、谐振器元件100和腔110。谐振器元件100通过上述腔110与衬底105分离，并且谐振器元件100包括单晶硅层101。单晶硅层101掺杂有磷原子以获取特定掺杂分布。

主权项：1.一种MEMS微机电系统谐振器，包括：衬底；谐振器元件；以及腔，其中所述谐振器元件通过所述腔与所述衬底分离，并且其中所述谐振器元件包括单晶硅层，其中所述单晶硅层被掺杂有磷原子，其中所述磷原子的浓度ndopⅰ在dtDEV＝0.1处，在1.99×1020cm-3至2.97×1020cm-3的范围内，并且在dtDEV＝0.9处，在1.20×1020cm-3至1.78×1020cm-3的范围内，或者ⅱ在dtDEV＝0.1处，在1.20×1020cm-3至1.80×1020cm-3的范围内，并且在dtDEV＝0.9处，在2.02×1020cm-3至2.97×1020cm-3的范围内，或者ⅲ在dtDEV＝0.1处，在2.08×1020cm-3至2.97×1020cm-3的范围内，在dtDEV＝0.5处，在1.20×1020cm-3至1.86×1020cm-3的范围内，并且在dtDEV＝0.9处，在2.08×1020cm-3至2.97×1020cm-3的范围内，其中d是所述单晶硅层内的位置与所述单晶硅层的顶表面之间的距离，并且tDEV是所述单晶硅层的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京瓷技术公司 温度稳定MEMS谐振器

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