申请/专利权人：维易科仪器公司

申请日：2022-08-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881819A

主分类号：C30B25/12

分类号：C30B25/12;H01L21/687

优先权：["20210831 US 17/462,990"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：本公开的晶圆载体组件改善了其整个顶面的热控制，以保持高度受控的沉积位置和厚度。

主权项：1.一种晶圆载体组件，所述晶圆载体组件用于在一个或多个晶圆上通过化学气相沉积CVD生长外延层的系统中，所述晶圆载体组件包括：底座，所述底座包括基本平坦的底面和基本平行于所述底面的顶面，其中，所述顶面还包括多个基座和多个在所述顶面上方延伸的平台；以及保温盖，所述保温盖限定了多个槽，其中，所述保温盖被配置为通过至少一个紧固件耦合到所述底座，并且所述多个槽被布置为使得当所述保温盖由所述底座的多个基座支撑时，所述多个槽中的每个槽与所述多个平台中的相应平台对齐，所述保温盖还限定了边缘部分，所述边缘部分在所述多个槽中的每个槽附近具有减小的厚度，用于所述槽的晶圆承载在所述边缘部分上；其中，所述晶圆载体的基座、平台和所述保温盖的边缘部分的尺寸限定了一组热控制间隙，所述热控制间隙使得沿着所述晶圆载体组件的顶面保持期望的热分布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 维易科仪器公司 具有控制热间隙的基座和盖子约束件布置的晶圆载体组件

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