申请/专利权人：地球山(苏州)微电子科技有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117880704A

主分类号：H04R9/06

分类号：H04R9/06;H04R9/02;H04R31/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开一种数字发声单元及其制造方法，涉及数字扬声器技术领域，用于解决现有技术中释放牺牲层时间长，生产效率低，释放一致性差的问题。结构包括：半导体基板；沉积在半导体基板上的电极层下绝缘层以及电极结构层；沉积在电极结构层上方的第一环形凹槽结构；覆盖上基板表面以及第一环形凹槽结构的电极层上绝缘层；穿透电极层上绝缘层、电极结构层及电极层下绝缘层的通孔；刻蚀在牺牲层结构中的第二环形凹槽结构和第二环形凹槽结构外围的第三环形凹槽结构；位于半导体基板背面且贯穿半导体基板的腔体；腔体联通通孔。本发明提供的方案能缩短牺牲层释放时间，提高生产效率以及提高释放路径的一致性。

主权项：1.一种数字发声单元，其特征在于，至少包括：半导体基板；沉积在所述半导体基板上的电极层下绝缘层以及电极结构层；所述电极结构层位于所述电极层下绝缘层上方；沉积在所述电极结构层上方的第一环形凹槽结构；覆盖上基板表面以及所述第一环形凹槽结构的电极层上绝缘层；穿透所述电极层上绝缘层、所述电极结构层及所述电极层下绝缘层的通孔；刻蚀在牺牲层结构中的第二环形凹槽结构和第三环形凹槽结构；所述第三环形凹槽结构在所述第二环形凹槽结构的外围；位于所述半导体基板背面且贯穿所述半导体基板的腔体；所述腔体联通所述通孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 地球山(苏州)微电子科技有限公司 一种数字发声单元及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD