申请/专利权人：乾晶半导体(衢州)有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867638A

主分类号：C30B15/00

分类号：C30B15/00;C30B15/20;C30B29/36;C30B27/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种借助铝热反应提升Si基溶液温度制备SiC的方法，将高纯Si料和铝热剂混合均匀后放置在石墨坩埚中，控制热场加热使溶液上部温度低于下部温度；待热场稳定后籽晶缓慢降至与Si基溶液体系接触，开启旋转提拉系统开始晶体生长，得到SiC单晶。本发明利用铝热反应产生的热量来升温粉料，并利用反应生成的Ti、Cr或者Fe元素作为助溶剂溶解C元素，通过调控A1元素比例，使其在完全反应后仍有Al结余来制备P型SiC晶体。反应生成的Al2O3在Si基溶液中以固相存在，不会对SiC晶体生长造成影响，减少了升温所需时间，解决了SiC晶体生长过程能耗消耗过高的问题，降低了生产成本。

主权项：1.一种借助铝热反应提升Si基溶液温度制备SiC的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1将高纯Si料和铝热剂混合均匀后放置在石墨坩埚中，控制热场加热使溶液上部温度低于下部温度；2待热场稳定后籽晶缓慢降至与Si基溶液体系接触，开启旋转提拉系统开始晶体生长，得到SiC单晶；所制备的P型SiC单晶为P型4H-SiC或P型6H-SiC。

全文数据：

权利要求：

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