申请/专利权人：中国石油大学(华东)

申请日：2023-08-01

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881261A

主分类号：H10N10/17

分类号：H10N10/17;H10N10/855;H10N10/01

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：本发明公开一种自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法。该方法包括：选用Si为基底；利用射频磁控溅射技术沉积VO2半导体薄膜；在VO2薄膜表面沉积ITO顶电极层；在Si基底背面旋涂In电极；基于高效能量转换的光热电效应，器件对355nm‑1550nm波长范围有明显的自驱动光响应，并且表现出出色的探测人体热辐射的能力。本发明的光电探测器件具有宽光谱响应、响应速度快、周期稳定性好等优点；其制备工艺简单、无毒无污染，产品质量较高，适于大规模化工业生产，在高性能光电探测器件领域具有巨大的应用前景。

主权项：1.一种自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法，其特征为垂直结构，由下至上依次是In底电极层、Si单晶基片、VO2半导体薄膜层和ITO顶电极层；其中：所述In底电极层利用电烙铁旋涂在Si基底背面；所述Si单晶基片为镀膜基底；所述VO2半导体薄膜层通过射频磁控溅射技术沉积于上述Si基底表面上，为纳米棒结构，厚度为100-300nm；所述ITO底电极层通过直流磁控溅射沉积于上述VO2半导体薄膜层的表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国石油大学(华东) 一种自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD