申请/专利权人：河北美泰电子科技有限公司

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878557A

主分类号：H01P1/36

分类号：H01P1/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供了一种基于MEMS工艺的小尺寸表贴隔离器的制作方法，属于半导体领域，包括：在下层硅晶圆的下表面刻蚀深槽；在下层硅晶圆上表面制作多层Au‑SiN结构，在下层硅晶圆上制作金属走线、薄膜电阻图形、薄膜电容图形并使多层Au‑SiN结构与金属走线互联；在下层硅晶圆的下表面制备金属化图形和表贴焊盘图形；在上层硅晶圆的下表面刻蚀浅槽；将下层硅晶圆与上层硅晶圆晶圆级键合；在深槽内集成铁氧体；在上层硅晶圆的上表面粘接磁铁体，磁铁体与所述铁氧体形成磁场。本发明制作的隔离器，应用在S及以下波段，通过MEMS工艺制备薄膜电容和薄膜电阻，具有尺寸小、高可靠性、高精度、一致性好、高集成度、功率高、设计灵活等特点。

主权项：1.一种基于MEMS工艺的小尺寸表贴隔离器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：下层硅晶圆2的制作：在下层硅晶圆2的下表面刻蚀深槽23；在所述下层硅晶圆2的上表面正对所述深槽23的区域制作多层Au-SiN结构7；在所述下层硅晶圆2的上表面其他区域制作金属走线、薄膜电阻图形、薄膜电容图形；并使所述多层Au-SiN结构7与所述金属走线互联；在所述下层硅晶圆2的下表面制备金属化图形和表贴焊盘图形；上层硅晶圆1的制作：在上层硅晶圆1的下表面正对所述深槽23的区域刻蚀浅槽12，所述浅槽12的尺寸大于所述多层Au-SiN结构7；晶圆级键合：将所述下层硅晶圆2与所述上层硅晶圆1进行晶圆级键合，形成双层硅晶圆片；在所述深槽23内集成铁氧体3；在所述下层硅晶圆2的下表面焊接金属载体4，并在所述金属载体4上开设通孔41，露出所述下层硅晶圆2下表面的表贴焊盘21；在所述上层硅晶圆1的上表面粘接磁铁体6，所述磁铁体6与所述铁氧体3形成磁场。

全文数据：

权利要求：

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