申请/专利权人：科磊股份有限公司

申请日：2020-06-25

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115428139B

主分类号：H01L21/68

分类号：H01L21/68;G03F7/20;H01L23/544;G03F9/00

优先权：["20200415 US 63/010,096"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.04.14#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：一种用于在晶片上制造功能性半导体装置时测量形成于所述晶片上的至少第一层与第二层之间的偏移的目标及其使用方法，所述功能性半导体装置包含功能性装置结构FDST，所述目标包含：多个测量结构MST，所述多个MST是所述第一层及所述第二层的部分；及多个类装置结构DLST，所述多个DLST是所述第一层及所述第二层中的至少一者的部分，所述DLST与所述FDST共享至少一个特性且所述MST不与所述FDST共享所述至少一个特性。

主权项：1.一种用于在晶片上制造功能性半导体装置时测量形成于所述晶片上的至少第一层与第二层之间的偏移的目标，所述功能性半导体装置包含功能性装置结构，所述目标包括：多个测量结构，所述多个多个测量结构是所述第一层及所述第二层的部分；及多个类装置结构，所述多个多个类装置结构是所述第一层及所述第二层中的仅一者的部分，所述多个类装置结构与所述功能性装置结构共享至少一个特性；且所述多个测量结构不与所述功能性装置结构共享所述至少一个特性，其中所述目标形成于所述晶片的裸片内，所述裸片包括所述功能性半导体装置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 科磊股份有限公司 可用于测量半导体装置偏移的具有装置级特征的偏移目标

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