申请/专利权人：芯天下技术股份有限公司

申请日：2020-12-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112542199B

主分类号：G11C29/00

分类号：G11C29/00;G11C29/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.05.14#著录事项变更;2021.04.09#实质审查的生效;2021.03.23#公开

摘要：本发明公开了一种检测flash存储出错的方法、电路、存储介质和终端，在CP测试模式下采用特殊配置信号，让待测flash能够在测试模式下使用正常的写指令写入固定数据，再通过测试模式下的读指令边读取数据边进行对比，输出对比结果的标志信号，并同时把错误的地址存储起来，在待测flash下一次上电时即可用冗余存储区替换坏掉的区域；无需对待测flash整片写入再整片读出，可以在测试时边测试边确定芯片中无法擦写的存储区域，极大地提高flash存储出错的检测效率，实现冗余替换；通过采用本方案，可以有效提高flash良品率，减少生产成本，在CP测试阶段就可以快速检测到无法擦写的芯片以及芯片中无法擦写的存储区域。

主权项：1.一种检测flash存储出错的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：在CP测试模式下，配置检测使能、配置选择信息和设置对比数据；打开检测使能；接收写指令，根据配置选择信息将设定数据写入待测flash的对应存储单元中；接收读指令，根据配置选择信息读出待测flash的对应存储单元写入的数据；比对读出的数据与对比数据是否一致，若一致则结束flash检测，若不一致，将比对结果进行存储，同时输出存储单元错误标志；接收写配置指令，将比对结果写入待测flash的对应存储单元中，比对结果为待测flash的对应存储单元内的配置信息；待到flash下一次上电时，flash芯片读取对应存储单元内的比对结果，将替换信息读出，并利用冗余存储单元替换掉错误的存储单元。

全文数据：

权利要求：

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