申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-03-23

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113611706B

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/41;H10B41/50;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.11.23#实质审查的生效;2021.11.05#公开

摘要：公开了具有阶梯结构的3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构，该阶梯结构在存储阵列结构的中间体中并且将存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。阶梯结构包括第一阶梯区域和连接第一存储阵列结构和第二存储阵列结构的桥接结构。桥接结构包括下部壁部分和上部阶梯部分。第一阶梯区域包括在第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的第一对阶梯。各阶梯包括台阶。第一对阶梯中的至少一个台阶通过桥接结构电连接至第一存储阵列结构和第二存储阵列结构中的至少一者。

主权项：1.一种三维存储器件，包括：存储阵列结构；以及阶梯结构，其在所述存储阵列结构的中间体中并且将所述存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构，所述阶梯结构包括第一阶梯区域、第二阶梯区域和连接所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构的桥接结构，其中，所述桥接结构在垂直于第一横向方向的第二横向方向上在所述第一阶梯区域与所述第二阶梯区域之间；以及所述阶梯中的至少一个台阶通过所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的至少一者。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 在三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法

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