申请/专利权人：德州仪器公司

申请日：2019-04-03

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112075001B

主分类号：H02H7/08

分类号：H02H7/08;H02H3/16

优先权：["20180403 US 62/651,828","20190124 US 16/256,646"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.04.02#实质审查的生效;2020.12.11#公开

摘要：在用于接地断线保护的电路中，所述电路包含耦合在第一接地272与第二接地274之间的呈共源极布置511，512的功率晶体管元件。所述功率晶体管元件511，512经配置以在电动机系统中的接地断线事件310期间接通。此允许电流530在所述第一接地272与所述第二接地274之间通过，从而绕过控制电路210。

主权项：1.一种用于接地断线保护的电路，所述电路包括：第一功率金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，其具有连接到第一接地的第一漏极端子、第一源极端子和第一栅极端子；第二功率MOSFET，其具有连接到第二接地的第二漏极端子、连接到所述第一源极端子的第二源极端子和连接到所述第一栅极端子的第二栅极端子；第一二极管，其具有连接到所述第一栅极端子的第一阴极，且具有第一阳极；第二二极管，其具有连接到所述第一阳极的第二阴极和连接到所述第一漏极端子的第二阳极；第三二极管，其具有连接到所述第二栅极端子的第三阴极，且具有第三阳极；第四二极管，其具有连接到所述第三阳极的第四阴极和连接到所述第二漏极端子的第四阳极；以及电阻器，其在第一端子处连接到所述第一功率MOSFET和所述第二功率MOSFET的栅极端子，且在第二端子处连接到所述第一功率MOSFET和所述第二功率MOSFET的源极端子。

全文数据：

权利要求：

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