申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117887464A

主分类号：C09K13/00

分类号：C09K13/00;H01L21/306

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种SiGeSi和SiO2的选择性蚀刻液，属于电子化学品技术领域。所述选择性蚀刻液主要用于SiGe的湿法刻蚀，对SiGe具有良好的选择性，且对Si和SiO2的腐蚀性弱，主要成分包括1~15%的氧化剂、1~15%的氟源、0.5~10%的缓冲组合物、0.05~5%的螯合剂、0.001%~1%的二氧化硅腐蚀抑制剂，余量为高纯水。该选择性蚀刻液不仅对SiGe具有良好的选择性，对Si和SiO2腐蚀极小，而且具有较高的寿命还能通过组分含量以及温度来控制蚀刻速率及选择比。

主权项：1.一种SiGeSi和SiO2的选择性蚀刻液，其特征在于：所述选择性蚀刻液包括1~15%的氧化剂、1~15%的氟源、0.5~10%的缓冲组合物、0.05~5%的螯合剂、0.001%~1%的二氧化硅腐蚀抑制剂、余量为高纯水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种SiGe/Si和SiO₂的选择性蚀刻液

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