申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894711A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及一种降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将烘干槽内的红外加热管移至烘干槽外壁上。第二步：更换烘干槽的材质，由原来的金属材质更换成石英材质作为外框架。第三步：当在烘干槽内进行烘干后，在烘干槽两侧设置磁块，通过磁块对烘干槽形成磁场，在烘干槽过程中使得硅片水分被蒸发的同时，附着的金属污染和颗粒脱离硅片表面。具有操作便捷、效果好和质量稳定性高的特点。解决了金属污染控制难度大的问题。有效杜绝颗粒污染，提高硅片洗净工艺的高效性和合格率，改善硅片品质，减少报废率。

主权项：1.一种降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：将烘干槽内的红外加热管移至烘干槽外壁上；第二步：更换烘干槽的材质，由原来的金属材质更换成石英材质作为外框架；第三步：当在烘干槽内进行烘干后，在烘干槽两侧设置磁块，通过磁块对烘干槽形成磁场，在烘干槽过程中使得硅片水分被蒸发的同时，附着的金属污染和颗粒脱离硅片表面。

全文数据：

权利要求：

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