申请/专利权人:南昌大学
申请日:2024-01-17
公开(公告)日:2024-04-16
公开(公告)号:CN117897020A
主分类号:H10K71/00
分类号:H10K71/00;H10K71/12;H10K30/50;H10K30/80;H10K30/88;C30B29/22
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开
摘要:本申请公开一种拓宽ACI型低维钙钛矿器件印刷湿度窗口的方法,属于钙钛矿光伏器件技术领域。本申请方法包括:对空气中制备的ACI型低维钙钛矿薄膜通入三甲基铝源脉冲进行原子层沉积半循环反应之后,依次交替通入去离子水脉冲和三甲基铝源脉冲进行原子层沉积循环处理,即可使氧化铝隔膜改性ACI型低维钙钛矿薄膜。本申请方法能够以ACI型低维钙钛矿薄膜中残留吸附水作为原子层沉积的成核媒介,不仅有效改善吸附水引发的局部晶体退化降解的问题,而且有效阻隔外界的水氧侵蚀和钙钛矿晶体内部的离子迁移效应,从而使得ACI型低维钙钛矿器件的印刷湿度窗口大幅拓宽,同时提升ACI型低维钙钛矿器件综合性能。
主权项:1.一种拓宽ACI型低维钙钛矿器件印刷湿度窗口的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤A:提供空气中制备成形的ACI型低维钙钛矿薄膜;步骤B:将所述ACI型低维钙钛矿薄膜放入原子层沉积设备中,并向所述原子层沉积设备中通入三甲基铝源脉冲,使所述ACI型低维钙钛矿薄膜进行原子层沉积半循环反应,然后依次进行暴露和氮气冲洗处理,获得ACI型低维钙钛矿薄膜第一改性体;步骤C:向所述原子层沉积设备中通入去离子水脉冲,使所述ACI型低维钙钛矿薄膜第一改性体进行氧化处理,然后依次进行暴露和氮气冲洗处理,获得ACI型低维钙钛矿膜第二改性体;步骤D:向所述原子层沉积设备中通入三甲基铝源脉冲,使所述低维钙钛矿膜第二改性体进行原子层沉积反应,然后依次进行暴露并氮气冲洗处理,获得ACI型低维钙钛矿薄膜第三改性体;步骤C至步骤D循环n次,使得ACI型低维钙钛矿薄膜表面生成氧化铝隔膜改性层,其中,循环次数n的取值为10-50。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 南昌大学 一种拓宽ACI型低维钙钛矿器件印刷湿度窗口的方法
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