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【发明公布】ICG/N@hCNx-HA-FA纳米组合物及其合成方法和应用_厦门锋剑生物科技研究院有限公司_202410093863.1 

申请/专利权人:厦门锋剑生物科技研究院有限公司

申请日:2024-01-23

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117883593A

主分类号:A61K47/69

分类号:A61K47/69;A61K41/00;A61K31/15;A61K47/54;A61K47/61;A61P35/00;A61K33/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要:本发明公开了ICGN@hCNx‑HA‑FA纳米组合物及其合成方法和应用,涉及纳米组合物技术领域。合成方法包括以下步骤:以MSN为模板合成hCNx;取hCNx加入硫氰化钾,研磨后转移至马弗炉中高温烧结,待马弗炉自然降温后,得到氮缺陷的hCNx;然后在hCNx空腔内共负载ICG和DETANONOate;然后在其外层修饰透明质酸和叶酸,得到ICGN@hCNx‑HA‑FA纳米组合物。本发明采用上述的ICGN@hCNx‑HA‑FA纳米组合物及其合成方法和应用,在激光照射下能有效诱导肿瘤细胞凋亡,结合光热治疗具有低毒、良好的肿瘤治疗效果,可广泛用于制备抗肿瘤的药物。

主权项:1.ICGN@hCNx-HA-FA纳米组合物的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、制备MSN模板;S2、hCNx的制备:以MSN为模板合成中空介孔氮缺陷氮化碳纳米颗粒hCNx;S3、氮缺陷材料的制备:取中空介孔氮化碳纳米颗粒hCNx,加入硫氰化钾,研磨后转移至马弗炉中高温烧结,待马弗炉自然降温后,得到灰色的氮缺陷中空介孔纳米氮化碳纳米颗粒;S4、hCNx负载ICG和DETANONOate:在hCNx空腔内共负载ICG和NO供体DETANONOate;S5、ICGN@hCNx-HA-FA的合成:取负载ICG和DETANONOate的hCNx,在其外层修饰透明质酸和叶酸,得到ICGN@hCNx-HA-FA纳米组合物。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 厦门锋剑生物科技研究院有限公司 ICG/N@hCNx-HA-FA纳米组合物及其合成方法和应用

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