申请/专利权人：暨南大学

申请日：2024-03-18

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894970A

主分类号：H01M4/36

分类号：H01M4/36;H01M10/054;H01M4/04;H01M4/136;H01M4/1397;H01M4/58;H01M4/62;H01M4/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料及其制备方法和应用，属于钾离子电池技术领域。石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料的制备方法，包括以下步骤：采用溶剂热反应制备得到VS2前驱体；将VS2前驱体和GO的溶液混合，超声分散，然后搅拌、冷冻干燥，得到VS2和GO的复合物；将VS2和GO的复合物在还原气氛下煅烧，得到石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料。本发明复合材料中的硫空位可以提供额外的离子通道，作为钾离子电池的材料使用时，不仅可以促进钾离子在材料中的迁移和扩散，提高二硫化钒材料的离子导电性能，还可以提供额外的钾离子储存位点，有效提高材料比容量。

主权项：1.一种石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用溶剂热反应制备得到VS2前驱体；将VS2前驱体和GO的溶液混合，超声分散，然后搅拌、冷冻干燥，得到VS2和GO的复合物；将VS2和GO的复合物在还原气氛下煅烧，得到所述石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料；所述VS2前驱体的制备方法，包括以下步骤：将钒源和硫源加入溶剂中，分散均匀后进行溶剂热反应，得到所述VS2前驱体；所述钒源包括偏钒酸铵、乙酰丙酮氧钒、钒酸钠或乙酸钒；所述硫源包括硫代乙酰胺、半胱氨酸或硫脲；所述钒源和硫源的摩尔比为1∶（3.7~10）；所述溶剂包括氨水或氢氧化钠水溶液；所述还原气氛为Ar2和H2混合气氛；所述煅烧的升温速率为2~10℃min，温度为200~400℃，保温时间为2~3h。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 暨南大学 一种石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料及其制备方法和应用

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