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【发明公布】高升压比的多相浮动交错Boost变换器及构建的磁芯结构_深圳信息职业技术学院_202410023938.9 

申请/专利权人:深圳信息职业技术学院

申请日:2024-01-08

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117895785A

主分类号:H02M3/155

分类号:H02M3/155;H02M1/14;H02M3/158;H01F27/24

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要:本发明提供了一种高升压比的多相浮动交错Boost变换器及构建的磁芯结构,包括输入电压Vin、电阻Ro、电感La、电感Lb、电感Lc、电感Ld、二极管Do1、二极管Do2、二极管Do3、二极管Do4、电容Co1、电容Co2、开关管S1、开关管S2、开关管S3及开关管S4及上述各元件间的连接关系。本发明提出的MFIBC拓扑可以应用于充电桩或电池充放电等大功率高升压比场合,该拓扑兼具有输入电流纹波脉动小的优点,同时具备提高升压比、提高功率密度的优势。

主权项:1.一种高升压比的多相浮动交错Boost变换器,其特征在于,包括输入电压Vin、电阻Ro、电感La、电感Lb、电感Lc、电感Ld、二极管Do1、二极管Do2、二极管Do3、二极管Do4、电容Co1、电容Co2、开关管S1、开关管S2、开关管S3及开关管S4,输入电压Vin的正极与电感La的一端连接,电感La的另一端与二极管Do1的阳极连接,二极管Do1的阴极与电阻Ro的一端连接,电阻Ro的另一端与二极管Do4的阳极连接,二极管Do4的阴极与电感Ld的一端连接,开关管S1的漏极与电感La的另一端连接,电容Co1的一端与二极管Do1的阴极连接,电感Lb的一端与输入电压Vin的正极连接,电感Lb的另一端与二极管Do2的阳极连接,二极管Do2的阴极与二极管Do1的阴极连接,开关管S2的漏极与电感Lb的另一端连接,开关管S3的漏极与输入电压Vin的正极连接,开关管S3的源极与二极管Do3的阴极连接,二极管Do3的阳极与电阻Ro的另一端连接,电感Lc的一端与二极管Do3的阴极连接,电容Co2的一端与电阻Ro的另一端连接,电容Co2的另一端与输入电压Vin的正极连接,开关管S4的漏极与输入电压Vin的正极连接,开关管S4的源极与电感Ld的一端连接,电感Ld的另一端、电感Lc的另一端、开关管S1的源极、开关管S2的源极及电容Co1的另一端与输入电压Vin的负极共地。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳信息职业技术学院 高升压比的多相浮动交错Boost变换器及构建的磁芯结构

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