申请/专利权人：浙江工业大学

申请日：2019-06-18

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN110190749B

主分类号：H02M3/158

分类号：H02M3/158;H02M1/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2019.09.24#实质审查的生效;2019.08.30#公开

摘要：一种含输出电流补偿支路的Buck‑Boost变换器，包括N沟道MOS管M1、电感L1、二极管D1、电容Co、输出电流补偿支路和控制器，所述输出电流补偿支路中，当N沟道MOS管M1截止时，通过其端口a从电感L1处分流一部分电流用于能量存储，电感L1与其端口a和端口c形成回路；当N沟道MOS管M1导通时，通过其端口b释放能量，为电容Co和负载RL提供电流，电容Co和负载RL与其端口b和端口d形成回路；所述控制器采用软开关控制器，通过其端口g1和端口s1控制N沟道MOS管M1的开关状态，通过其端口gc和端口sc控制输出电流补偿支路能量存储或释放的工作状态。本发明具有低输出电压纹波的特点。

主权项：1.一种含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，其特征在于：所述含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器包括N沟道MOS管M1、电感L1、二极管D1、电容Co、输出电流补偿支路和控制器，所述电流补偿支路具有端口a、端口b、端口c、端口d、端口gc和端口sc，所述控制器具有端口g1、端口s1、端口gc和端口sc，直流电源Vi的正端与N沟道MOS管M1的漏极相连，N沟道MOS管M1的源极同时与电感L1的一端、输出电流补偿支路的端口c以及二极管D1的阴极相连，二极管D1的阳极同时与输出电流补偿支路的端口d、电容Co的一端以及负载RL的一端相连，电容Co的另一端同时与负载RL的另一端、输出电流补偿支路的端口b、输出电流补偿支路的端口a、电感L1的另一端以及直流电源Vi的负端相连，控制器的端口g1与N沟道MOS管M1的栅极相连，控制器的端口s1与N沟道MOS管M1的源极相连，控制器的端口gc与输出电流补偿支路的端口gc相连，控制器的端口sc与输出电流补偿支路的端口sc相连；所述控制器中，通过其端口g1和端口s1控制N沟道MOS管M1的开关状态，通过其端口gc和端口sc控制输出电流补偿支路能量存储或释放的工作状态；所述输出电流补偿支路包括电感La1、N沟道MOS管Ma1以及二极管Da1至二极管Da3，二极管Da1的阴极与输出电流补偿支路的端口c相连，二极管Da1的阳极同时与电感La1的一端以及二极管Da2的阳极相连，二极管Da2的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感La1的另一端同时与N沟道MOS管Ma1的源极、输出电流补偿支路的端口sc以及二极管Da3的阴极相连，二极管Da3的阳极与输出电流补偿支路的端口d相连，N沟道MOS管Ma1的漏极与输出电流补偿支路的端口a相连，N沟道MOS管Ma1的栅极与输出电流补偿支路的端口gc相连。

全文数据：含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器技术领域本发明涉及Buck-Boost变换器，尤其是一种含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，可适用于低输出电压纹波的应用场合。背景技术传统Buck-Boost变换器的输出电流指输出端至续流二极管的电流是断续的，此特性会导致其输出电压纹波较大。要获得较小的输出电压纹波，通常的办法是加大输出电解电容的容量或着增加滤波器。但是，常见的铝电解电容对脉动电流的耐受能力差，其性能受温度影响严重；常见的滤波器如：LC滤波器会降低电路的动态响应速度。因此，考虑为传统Buck-Boost变换器引入输出电流补偿支路，在不增加输出电解电容值的前提下通过补形输出电流来改善输出电压纹波。进一步，可采用软开关控制器，变“硬开关”为“软开关”的工作方式，提升电路效率。发明内容为克服传统Buck-Boost变换器输出电压纹波较大的不足，本发明提供一种含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，目的在于改善输出电压纹波。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，包括N沟道MOS管M1、电感L1、二极管D1、电容Co、输出电流补偿支路和控制器，所述电流补偿支路具有端口a、端口b、端口c、端口d、端口gc和端口sc，所述控制器具有端口g1、端口s1、端口gc和端口sc，直流电源Vi的正端与N沟道MOS管M1的漏极相连，N沟道MOS管M1的源极同时与电感L1的一端、输出电流补偿支路的端口c以及二极管D1的阴极相连，二极管D1的阳极同时与输出电流补偿支路的端口d、电容Co的一端以及负载RL的一端相连，电容Co的另一端同时与负载RL的另一端、输出电流补偿支路的端口b、输出电流补偿支路的端口a、电感L1的另一端以及直流电源Vi的负端相连，控制器的端口g1与N沟道MOS管M1的栅极相连，控制器的端口s1与N沟道MOS管M1的源极相连，控制器的端口gc与输出电流补偿支路的端口gc相连，控制器的端口sc与输出电流补偿支路的端口sc相连；所述输出电流补偿支路中，当N沟道MOS管M1截止时，通过其端口a从电感L1处分流一部分电流用于能量存储，电感L1与其端口a和端口c形成回路；当N沟道MOS管M1导通时，通过其端口b释放能量，为电容Co和负载RL提供电流，电容Co和负载RL与其端口b和端口d形成回路；所述控制器中，通过其端口g1和端口s1控制N沟道MOS管M1的开关状态，通过其端口gc和端口sc控制输出电流补偿支路能量存储或释放的工作状态。进一步，所述输出电流补偿支路的第一种优选方案，所述输出电流补偿支路包括电感La1、N沟道MOS管Ma1以及二极管Da1至二极管Da3，二极管Da1的阴极与输出电流补偿支路的端口c相连，二极管Da1的阳极同时与电感La1的一端以及二极管Da2的阳极相连，二极管Da2的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感La1的另一端同时与N沟道MOS管Ma1的源极、输出电流补偿支路的端口sc以及二极管Da3的阴极相连，二极管Da3的阳极与输出电流补偿支路的端口d相连，N沟道MOS管Ma1的漏极与输出电流补偿支路的端口a相连，N沟道MOS管Ma1的栅极与输出电流补偿支路的端口gc相连。二极管Da1的作用是屏蔽N沟道MOS管Ma1的体二极管。考虑所述输出电流补偿支路内部存在寄生参数，可添加振荡抑制支路，振荡抑制支路包括电阻Ra1和电容Ca1，电阻Ra1的一端与二极管Da3的阳极相连，电阻Ra1的另一端与电容Ca1的一端相连，电容Ca1的另一端与二极管Da1的阳极相连。或者是，所述输出电流补偿支路的第二种优选方案，所述输出电流补偿支路包括电感Lb1、电感Lb2、NPN型BJT管Qb1、二极管Db1和电阻Rb1，NPN型BJT管Qb1的发射极同时与输出电流补偿支路的端口c和端口sc相连，NPN型BJT管Qb1的基极与电阻Rb1的一端相连，电阻Rb1的另一端与输出电流补偿支路的端口gc相连，NPN型BJT管Qb1的集电极与电感Lb1的一端相连，电感Lb1的另一端与输出电流补偿支路的端口a相连，电感Lb2的一端与输出电流补偿支路的端口d相连，电感Lb2的另一端与二极管Db1的阳极相连，二极管Db1的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感Lb1和电感Lb2存在耦合关系，电感Lb1的另一端和电感Lb2的一端是同名端。为加快NPN型BJT管Qb1的关断速度，可在电阻Rb1两端并联二极管Db2，二极管Db2的阳极与电阻Rb1的一端相连，二极管Db2的阴极与电阻Rb1的另一端相连。考虑电感Lb1和电感Lb2之间存在漏感，可添加电压尖峰吸收支路，电压尖峰吸收支路包括二极管Db3、电阻Rb2和电容Cb1，二极管Db3的阳极与电感Lb1的一端相连，二极管Db3的阴极同时与电阻Rb2的一端以及电容Cb1的一端相连，电阻Rb2的另一端同时与电容Cb1的另一端以及电感Lb1的另一端相连。因耦合电感Lb1和Lb2的缘故，输出电流补偿支路的第二种优选方案比输出电流补偿支路的第一种优选方案具有更宽的输出电流补偿范围。再或者是，所述输出电流补偿支路的第三种优选方案，所述输出电流补偿支路包括电感Lc1、电感Lc2、N沟道MOS管Mc1以及二极管Dc1至二极管Dc3，二极管Dc1的阴极与输出电流补偿支路的端口c相连，二极管Dc1的阳极同时与电感Lc1的一端以及二极管Dc2的阳极相连，二极管Dc2的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感Lc1的另一端同时与输出电流补偿支路的端口sc、电感Lc2的一端以及N沟道MOS管Mc1的源极相连，N沟道MOS管Mc1的漏极与输出电流补偿支路的端口a相连，N沟道MOS管Mc1的栅极与输出电流补偿支路的端口gc相连，电感Lc2的另一端与二极管Dc3的阴极相连，二极管Dc3的阳极与输出电流补偿支路的端口d相连，电感Lc1和电感Lc2存在耦合关系，电感Lc1的一端和电感Lc2的一端是同名端。二极管Dc1的作用是屏蔽N沟道MOS管Mc1的体二极管。考虑所述输出电流补偿支路内部存在寄生参数，可添加振荡抑制支路，振荡抑制支路包括电阻Rc1和电容Cc1，电阻Rc1的一端与二极管Dc3的阳极相连，电阻Rc1的另一端与电容Cc1的一端相连，电容Cc1的另一端与二极管Dc2的阳极相连。考虑电感Lc1和电感Lc2之间存在漏感，可添加电压尖峰吸收支路，电压尖峰吸收支路包括电阻Rc2、电容Cc2和二极管Dc4，二极管Dc4的阳极与电感Lc1的一端相连，二极管Dc4的阴极同时与电阻Rc2的一端以及电容Cc2的一端相连，电阻Rc2的另一端同时与电容Cc2的另一端以及电感Lc1的另一端相连。输出电流补偿支路的第三种优选方案与输出电流补偿支路的第二种优选方案Lb2Lb1的效果相近。再又或者是，所述输出电流补偿支路的第四种优选方案，所述输出电流补偿支路包括电感Ld1、电感Ld2、N沟道MOS管Md1以及二极管Dd1至二极管Dd3，二极管Dd1的阴极与输出电流补偿支路的端口c相连，二极管Dd1的阳极与电感Ld1的一端相连，电感Ld1的另一端同时与电感Ld2的一端以及二极管Dd2的阳极相连，二极管Dd2的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感Ld2的另一端同时与N沟道MOS管Md1的源极、输出电流补偿支路的端口sc以及二极管Dd3的阴极相连，二极管Dd3的阳极与输出电流补偿支路的端口d相连，N沟道MOS管Md1的漏极与输出电流补偿支路的端口a相连，N沟道MOS管Md1的栅极与输出电流补偿支路的端口gc相连，电感Ld1和电感Ld2存在耦合关系，电感Ld1的一端和电感Ld2的一端是同名端。二极管Dd1的作用是屏蔽N沟道MOS管Md1的体二极管。考虑电感Ld1和电感Ld2之间存在漏感，可添加电压尖峰吸收支路，电压尖峰吸收支路包括电阻Rd1、电容Cd1和二极管Dd4，二极管Dd4的阳极与电感Ld1的一端相连，二极管Dd4的阴极同时与电阻Rd1的一端以及电容Cd1的一端相连，电阻Rd1的另一端同时与电容Cd1的另一端以及电感Ld1的另一端相连。输出电流补偿支路的第四种优选方案与输出电流补偿支路的第二种优选方案Lb2直流电源Vi。但是，在一个开关周期T内输出电流io为电容Co和负载RL充电的次数多达2次比传统Buck-Boost变换器多1次，可有效减小输出电压纹波。当M1导通且Ma1和Da1均截止时，D1截止，L1充磁，iL1上升；Da2和Da3都导通，La1放磁为电容Co和负载RL提供能量，ia＝0，流出输出电流补偿支路端口b的电流ib下降直至为0。当M1截止且Ma1和Da1均导通时，D1导通，L1放磁为电容Co和负载RL提供能量，iL1下降；Da2和Da3都截止，La1充磁，ia上升，ib＝0；二极管D1的电流iD1＝iL1-ia下降直至为0，为M1实现软开关提供条件。当iD1下降为0后，D1关断，D1的反向恢复损耗为0，对提升效率有利；Ma1仍导通，La1与M1的寄生输出电容产生谐振。当M1的漏源极电压vM1因谐振下降至最低点时，控制器同时开通M1和关断Ma1，使得M1实现准零电压开通，因此M1的开通损耗低于传统Buck-Boost变换器，对提升效率有利。实施例2参考图1、图3和图6，一种含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，其输出电流补偿支路包括电感Lb1、电感Lb2、NPN型BJT管Qb1、二极管Db1和电阻Rb1，NPN型BJT管Qb1的发射极同时与输出电流补偿支路的端口c和端口sc相连，NPN型BJT管Qb1的基极与电阻Rb1的一端相连，电阻Rb1的另一端与输出电流补偿支路的端口gc相连，NPN型BJT管Qb1的集电极与电感Lb1的一端相连，电感Lb1的另一端与输出电流补偿支路的端口a相连，电感Lb2的一端与输出电流补偿支路的端口d相连，电感Lb2的另一端与二极管Db1的阳极相连，二极管Db1的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感Lb1和电感Lb2存在耦合关系，电感Lb1的另一端和电感Lb2的一端是同名端。为加快NPN型BJT管Qb1的关断速度，在电阻Rb1两端并联二极管Db2，二极管Db2的阳极与电阻Rb1的一端相连，二极管Db2的阴极与电阻Rb1的另一端相连。考虑电感Lb1和电感Lb2之间存在漏感，添加电压尖峰吸收支路，电压尖峰吸收支路包括二极管Db3、电阻Rb2和电容Cb1，二极管Db3的阳极与电感Lb1的一端相连，二极管Db3的阴极同时与电阻Rb2的一端以及电容Cb1的一端相连，电阻Rb2的另一端同时与电容Cb1的另一端以及电感Lb1的另一端相连。实施例2的其他结构包括控制器与实施例1相同，工作过程也与实施例1相似。但是，实施例2具有更宽的输出电流补偿范围。当D较大时，取Lb2Lb1更利于减小输出电压纹波；当D较小时，取Lb2Lb1。由图8可知，电感L1的电流iL1连续，流入输出电流补偿支路端口a的电流ia断续，输出电流io也断续，输出电压VoLb1时相似。图9是本发明实施例3的一个典型仿真波形图D＝0.7。由图9可知，电感L1的电流iL1连续，流入输出电流补偿支路端口a的电流ia断续，输出电流io也断续，输出电压Vo直流电源Vi。但是，在一个开关周期T内输出电流io为电容Co和负载RL充电的次数多达2次比传统Buck-Boost变换器多1次，可有效减小输出电压纹波。当M1导通且Mc1和Dc1均截止时，D1截止，L1充磁，iL1上升；Dc2和Dc3都导通，耦合电感Lc1和Lc2共同放磁为电容Co和负载RL提供能量，ia＝0，流出输出电流补偿支路端口b的电流ib下降直至为0。当ib下降为0后，Dc2和Dc3截止，Dc2和Dc3的反向恢复损耗为0，对提升效率有利。当M1截止且Mc1和Dc1均导通时，D1导通，L1放磁为电容Co和负载RL提供能量，iL1下降；Dc2和Dc3都截止，Lc1充磁，ia上升，ib＝0；二极管D1的电流iD1＝iL1-ia下降直至为0，为M1实现软开关提供条件。当iD1下降为0后，D1关断，D1的反向恢复损耗为0，对提升效率有利；Mc1和Dc1仍导通，Lc1与M1的寄生输出电容产生谐振。当M1的漏源极电压vM1因谐振下降至最低点时，控制器同时开通M1和关断Mc1，使得M1实现准零电压开通，因此M1的开通损耗低于传统Buck-Boost变换器，对提升效率有利。实施例4参考图1、图5和图6，一种含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，其输出电流补偿支路包括电感Ld1、电感Ld2、N沟道MOS管Md1以及二极管Dd1至二极管Dd3，二极管Dd1的阴极与输出电流补偿支路的端口c相连，二极管Dd1的阳极与电感Ld1的一端相连，电感Ld1的另一端同时与电感Ld2的一端以及二极管Dd2的阳极相连，二极管Dd2的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感Ld2的另一端同时与N沟道MOS管Md1的源极、输出电流补偿支路的端口sc以及二极管Dd3的阴极相连，二极管Dd3的阳极与输出电流补偿支路的端口d相连，N沟道MOS管Md1的漏极与输出电流补偿支路的端口a相连，N沟道MOS管Md1的栅极与输出电流补偿支路的端口gc相连，电感Ld1和电感Ld2存在耦合关系，电感Ld1的一端和电感Ld2的一端是同名端。二极管Dd1的作用是屏蔽N沟道MOS管Md1的体二极管。考虑电感Ld1和电感Ld2之间存在漏感，添加电压尖峰吸收支路，电压尖峰吸收支路包括电阻Rd1、电容Cd1和二极管Dd4，二极管Dd4的阳极与电感Ld1的一端相连，二极管Dd4的阴极同时与电阻Rd1的一端以及电容Cd1的一端相连，电阻Rd1的另一端同时与电容Cd1的另一端以及电感Ld1的另一端相连。实施例4的其他结构包括控制器与实施例2相同，工作过程也与实施例2取Lb2Lb1时相似。图10是本发明实施例4的一个典型仿真波形图D＝0.3。由图10可知，电感L1的电流iL1连续，流入输出电流补偿支路端口a的电流ia断续，输出电流io也断续，输出电压Vo0但其绝对值直流电源Vi。但是，在一个开关周期T内输出电流io为电容Co和负载RL充电的次数多达2次比传统Buck-Boost变换器多1次，可有效减小输出电压纹波。当M1导通且Md1和Dd1均截止时，D1截止，L1充磁，iL1上升；Dd2和Dd3都导通，Ld2放磁为电容Co和负载RL提供能量，ia＝0，流出输出电流补偿支路端口b的电流ib下降直至为0。当ib下降为0后，Dd2和Dd3截止，Dd2和Dd3的反向恢复损耗为0，对提升效率有利。当M1截止且Md1和Dd1均导通时，D1导通，L1放磁为电容Co和负载RL提供能量，iL1下降；Dd2和Dd3都截止，耦合电感Ld1和Ld2共同充磁，ia上升，ib＝0；二极管D1的电流iD1＝iL1-ia下降直至为0，为M1实现软开关提供条件。当iD1下降为0后，D1关断，D1的反向恢复损耗为0，对提升效率有利；Md1仍导通，Ld1和Ld2与M1的寄生输出电容产生谐振。当M1的漏源极电压vM1因谐振下降至最低点时，控制器同时开通M1和关断Md1，使得M1实现准零电压开通，因此M1的开通损耗低于传统Buck-Boost变换器，对提升效率有利。本说明书实施例所述的内容仅仅是对发明构思的实现形式的列举，本发明的保护范围的不应当被视为仅限于实施例所陈述的具体形式，本发明的保护范围也及于本领域技术人员根据本发明构思所能够想到的等同技术手段。

权利要求：1.一种含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，其特征在于：所述含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器包括N沟道MOS管M1、电感L1、二极管D1、电容Co、输出电流补偿支路和控制器，所述电流补偿支路具有端口a、端口b、端口c、端口d、端口gc和端口sc，所述控制器具有端口g1、端口s1、端口gc和端口sc，直流电源Vi的正端与N沟道MOS管M1的漏极相连，N沟道MOS管M1的源极同时与电感L1的一端、输出电流补偿支路的端口c以及二极管D1的阴极相连，二极管D1的阳极同时与输出电流补偿支路的端口d、电容Co的一端以及负载RL的一端相连，电容Co的另一端同时与负载RL的另一端、输出电流补偿支路的端口b、输出电流补偿支路的端口a、电感L1的另一端以及直流电源Vi的负端相连，控制器的端口g1与N沟道MOS管M1的栅极相连，控制器的端口s1与N沟道MOS管M1的源极相连，控制器的端口gc与输出电流补偿支路的端口gc相连，控制器的端口sc与输出电流补偿支路的端口sc相连；所述输出电流补偿支路中，当N沟道MOS管M1截止时，通过其端口a从电感L1处分流一部分电流用于能量存储，电感L1与其端口a和端口c形成回路；当N沟道MOS管M1导通时，通过其端口b释放能量，为电容Co和负载RL提供电流，电容Co和负载RL与其端口b和端口d形成回路；所述控制器中，通过其端口g1和端口s1控制N沟道MOS管M1的开关状态，通过其端口gc和端口sc控制输出电流补偿支路能量存储或释放的工作状态。2.如权利要求1所述的含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，其特征在于：所述输出电流补偿支路包括电感La1、N沟道MOS管Ma1以及二极管Da1至二极管Da3，二极管Da1的阴极与输出电流补偿支路的端口c相连，二极管Da1的阳极同时与电感La1的一端以及二极管Da2的阳极相连，二极管Da2的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感La1的另一端同时与N沟道MOS管Ma1的源极、输出电流补偿支路的端口sc以及二极管Da3的阴极相连，二极管Da3的阳极与输出电流补偿支路的端口d相连，N沟道MOS管Ma1的漏极与输出电流补偿支路的端口a相连，N沟道MOS管Ma1的栅极与输出电流补偿支路的端口gc相连。3.如权利要求1所述的含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，其特征在于：所述输出电流补偿支路包括电感Lb1、电感Lb2、NPN型BJT管Qb1、二极管Db1和电阻Rb1，NPN型BJT管Qb1的发射极同时与输出电流补偿支路的端口c和端口sc相连，NPN型BJT管Qb1的基极与电阻Rb1的一端相连，电阻Rb1的另一端与输出电流补偿支路的端口gc相连，NPN型BJT管Qb1的集电极与电感Lb1的一端相连，电感Lb1的另一端与输出电流补偿支路的端口a相连，电感Lb2的一端与输出电流补偿支路的端口d相连，电感Lb2的另一端与二极管Db1的阳极相连，二极管Db1的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感Lb1和电感Lb2存在耦合关系，电感Lb1的另一端和电感Lb2的一端是同名端。4.如权利要求1所述的含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，其特征在于：所述输出电流补偿支路包括电感Lc1、电感Lc2、N沟道MOS管Mc1以及二极管Dc1至二极管Dc3，二极管Dc1的阴极与输出电流补偿支路的端口c相连，二极管Dc1的阳极同时与电感Lc1的一端以及二极管Dc2的阳极相连，二极管Dc2的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感Lc1的另一端同时与输出电流补偿支路的端口sc、电感Lc2的一端以及N沟道MOS管Mc1的源极相连，N沟道MOS管Mc1的漏极与输出电流补偿支路的端口a相连，N沟道MOS管Mc1的栅极与输出电流补偿支路的端口gc相连，电感Lc2的另一端与二极管Dc3的阴极相连，二极管Dc3的阳极与输出电流补偿支路的端口d相连，电感Lc1和电感Lc2存在耦合关系，电感Lc1的一端和电感Lc2的一端是同名端。5.如权利要求1所述的含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，其特征在于：所述输出电流补偿支路包括电感Ld1、电感Ld2、N沟道MOS管Md1以及二极管Dd1至二极管Dd3，二极管Dd1的阴极与输出电流补偿支路的端口c相连，二极管Dd1的阳极与电感Ld1的一端相连，电感Ld1的另一端同时与电感Ld2的一端以及二极管Dd2的阳极相连，二极管Dd2的阴极与输出电流补偿支路的端口b相连，电感Ld2的另一端同时与N沟道MOS管Md1的源极、输出电流补偿支路的端口sc以及二极管Dd3的阴极相连，二极管Dd3的阳极与输出电流补偿支路的端口d相连，N沟道MOS管Md1的漏极与输出电流补偿支路的端口a相连，N沟道MOS管Md1的栅极与输出电流补偿支路的端口gc相连，电感Ld1和电感Ld2存在耦合关系，电感Ld1的一端和电感Ld2的一端是同名端。6.如权利要求1～5之一所述的含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，其特征在于：所述控制器为软开关控制器，假设其端口g1至端口s1的电压为vg，其端口gc至端口sc的电压为vc，开关周期为T，D为vg的占空比，Dc为vc的占空比，D和Dc的取值范围均为0至1，vg和vc分别满足式1和式2，n为大于等于0的整数：采用“D为主Dc为辅”的控制策略，步骤如下：步骤一：根据直流电源Vi、负载RL或所述含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器的输出电压Vo调节D，按式1设置vg；同时，赋值Dc＝1-D，按式2设置vc；步骤二：保持D和vg不变，调整Dc的大小并按式2设置vc直至N沟道MOS管M1符合准零电压或零电压开通的工作特征；步骤三：重复步骤一至步骤二直至所述含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器进入稳态。7.如权利要求6所述的含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器，其特征在于：所述控制器采用单片机、DSP或FPGA可编程器件。

百度查询： 浙江工业大学 含输出电流补偿支路的Buck-Boost变换器

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