申请/专利权人：南京航空航天大学

申请日：2022-03-22

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114784476B

主分类号：H01P5/16

分类号：H01P5/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开

摘要：本发明公开基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器，属于微波元件的技术领域。该波导功率合成器由多路并行的波导以及波导间的耦合结构组成。多路并行的波导平行排列，其中，主路波导居中，主路波导一侧端口为输入端口，每一路耦合波导与输入端口同侧的端口接匹配负载，其余矩形波导沿主路波导两侧对称排布，所有波导的另一侧端口形成功率分配或功率合成端口。该波导功率合成器结构简单，易于加工，具有良好的通带特性、反射特性以及传输特性，适用于功率合成放大结构的使用。对该波导功率器件进行二级级联形成二维波导功率合成网络,大幅提高合路效率。

主权项：1.基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器，其特征在于，包括主路波导、耦合波导及其多孔耦合结构，所述耦合波导以关于主路波导中心对称的方式沿着主路波导E面向外扩展，形成2N+1个波导平行耦合的结构，N为分布在主路波导一侧的耦合波导的数量，所述多孔耦合结构关于主路波导中心对称，每个多孔耦合结构包括至少m个关于多孔耦合结构中心对称的孔径，其中m≥3，相邻两个波导之间连接有多孔耦合结构，各多孔耦合结构中的孔径的长度与任意波导的宽度相同，同一多孔耦合结构中的孔径的宽度随着耦合波导沿主路波导E面向外扩展而增加，同一多孔耦合结构中的孔径的间距随着耦合波导沿主路波导E面向外扩展而减小，所述主路波导的一侧端口为输入端口，与输入端口同侧的所有耦合波导端口插有尖劈负载，所有波导的另一侧端口为输出端口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京航空航天大学 基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器

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