申请/专利权人：之江实验室;浙江大学

申请日：2023-01-06

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN116300310B

主分类号：G03F7/004

分类号：G03F7/004;G03F7/20;G02B21/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的方法，通过在光刻胶单体中加入的光引发剂7‑二乙基氨‑3‑2‑噻吩基香豆素DETC，利用边缘光抑制效应PPI，可以实现高精度激光直写；同时，利用其本身的荧光发光特性，及其存在的本征受激辐射效应，还可以实现超分辨受激辐射损耗显微成像STED。本发明利用DETC这些特性，在同一个装置中同时构建激光直写系统和显微成像系统，同时实现高精度刻写与超分辨成像。相比于掺杂荧光染料的方式，简化了光刻胶的成分，在一个系统中同时实现高精度刻写与超分辨成像，将刻写系统中的抑制光光路复用于成像系统中的损耗光路，有效简化了系统。本发明还包括一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的装置。

主权项：1.一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的方法，包括如下步骤：通过在光刻胶单体中加入的光引发剂7-二乙基氨-3-2-噻吩基香豆素DETC，利用边缘光抑制效应PPI，在聚合光边缘套上一束抑制光，实现高精度激光直写；在无需对光刻胶进行额外染料掺杂的情况下，仅利用其本身的荧光发光特性，及其存在的本征受激辐射效应，即可实现DETC发光过程的受激损耗特性，在成像过程中，采用与刻写过程一样的方式，在激发光边缘套上一束损耗光，使DETC损耗光与激发光中心重合，实现超分辨受激辐射损耗显微成像STED。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 之江实验室;浙江大学 一种利用光引发剂实现超分辨刻写与成像的方法和装置

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