申请/专利权人：海光信息技术股份有限公司

申请日：2023-06-20

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117271391B

主分类号：G06F12/0811

分类号：G06F12/0811;G06F12/084

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.01.09#实质审查的生效;2023.12.22#公开

摘要：一种缓存结构和电子设备。该缓存结构包括N级缓存，N级缓存中的第i级缓存包括至少1个i级缓存节点，每个i级缓存节点包括具有只读权限的i级只读缓存区以及具有读写权限的i级读写缓存区；每多个i级缓存节点共享一个i+1级缓存节点；第N级缓存与外部存储器电连接，每个1级缓存节点与对应的计算单元电连接；N级缓存中的只读缓存区用于缓存矩阵计算中的作为计算输入参数的输入矩阵，以及在外部存储器和多个计算单元之间传输输入矩阵，N级缓存中的读写缓存区用于缓存矩阵计算中的作为计算输出参数的输出矩阵，以及在外部存储器和多个计算单元之间传输输出矩阵。该缓存结构可以有效降低缓存的硬件开销和设计复杂度。

主权项：1.一种缓存结构，用于矩阵计算，其中，所述缓存结构包括N级缓存，所述N级缓存中的第i级缓存包括至少1个i级缓存节点，每个i级缓存节点包括具有只读权限的i级只读缓存区以及具有读写权限的i级读写缓存区；每多个i级缓存节点共享一个i+1级缓存节点，所有N-1级缓存节点共享所述N级缓存中的第N级缓存包括的1个N级缓存节点，其中，所述N级缓存节点包括具有只读权限的N级只读缓存区以及具有读写权限的N级读写缓存区；所述第N级缓存与外部存储器电连接，每个1级缓存节点与对应的计算单元电连接；所述N级缓存中的具有只读权限的只读缓存区用于缓存所述矩阵计算中的作为计算输入参数的输入矩阵，以及在所述外部存储器和多个所述计算单元之间传输所述输入矩阵，所述N级缓存中的具有读写权限的读写缓存区用于缓存所述矩阵计算中的作为计算输出参数的输出矩阵，以及在所述外部存储器和多个所述计算单元之间传输所述输出矩阵，其中，N为大于1的正整数，i为1至N-1之间的任意正整数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 海光信息技术股份有限公司 缓存结构和电子设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD