申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117577708B

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/0288;H01L31/068;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种基于P型硅片的联合钝化背接触电池及其制备和光伏组件，包括硅片、第一半导体层和第二半导体层，以及正面钝化层和减反层，所述硅片为P型，且所述硅片的正面设置有硼掺杂区，所述正面钝化层和减反层依次设置在所述硼掺杂区表面，且所述硼掺杂区与所述隧穿氧化层的厚度之比为（30‑150）:1，所述硼掺杂区与所述第一掺杂多晶硅层的面掺杂指数的比值为（0.03‑0.3）:1，且所述正面钝化层为三氧化二铝且厚度为50‑60nm，所述硼掺杂区与所述正面钝化层的厚度之比为（1‑4）:1。本发明的短路电流、开路电压和电池转换效率明显提升，高于常规N型硅片的电池。

主权项：1.一种基于P型硅片的联合钝化背接触电池，包括硅片、设置在硅片背面的第一半导体层和第二半导体层，以及设置在硅片正面的正面钝化层和减反层，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，所述第二半导体层包括本征硅晶层和第二掺杂微晶硅层，其特征在于，所述硅片为P型，且所述硅片的正面设置有硼掺杂区，所述正面钝化层和减反层依次设置在所述硼掺杂区表面，且所述硼掺杂区与所述隧穿氧化层的厚度之比为（30-150）:1，所述硼掺杂区与所述第一掺杂多晶硅层的面掺杂指数的比值为（0.03-0.3）:1，其中面掺杂指数为相应掺杂层的有效掺杂浓度与该掺杂层厚度的比值；所述硼掺杂区的厚度为50-200nm且有效掺杂浓度为1e18cm-3-1e19cm-3；所述隧穿氧化层的厚度为1.2-2.5nm，所述第一掺杂多晶硅层的厚度为80-200nm且有效掺杂浓度为1e20cm-3-5e21cm-3；且所述正面钝化层为三氧化二铝且厚度为50-60nm，所述硼掺杂区与所述正面钝化层的厚度之比为（1-4）:1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 金阳(泉州)新能源科技有限公司 基于P型硅片的联合钝化背接触电池及其制备和光伏组件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD