申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2019-08-01

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN112585297B

主分类号：C23C14/56

分类号：C23C14/56;C23C14/34;C23C14/22;H01J37/34

优先权：["20180810 US 62/717,648","20190225 US 16/285,043"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.08.20#实质审查的生效;2021.03.30#公开

摘要：此处提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包含：腔室主体，该腔室主体具有内部空间；基板支撑件，该基板支撑件设置于该内部空间中；靶，该靶设置于该内部空间内且相对于该基板支撑件；处理屏蔽件，该处理屏蔽件设置于该内部空间中且具有环绕该靶的上部分及环绕该基板支撑件的下部分，该上部分具有大于该靶的外直径的内直径以限定该处理屏蔽件及该靶之间的间隙；及气体入口，该气体入口经由该间隙或跨该间隙的前开口提供气体至该内部空间，以在使用期间实质防止来自该内部空间的颗粒进入该间隙。

主权项：1.一种处理腔室，包括：腔室主体，所述腔室主体具有内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述内部空间中；靶，所述靶设置于所述内部空间内且相对于所述基板支撑件；处理屏蔽件，所述处理屏蔽件设置于所述内部空间中且具有环绕所述靶的上部分及环绕所述基板支撑件的下部分，所述上部分具有大于所述靶的外直径的内直径以限定所述处理屏蔽件及所述靶之间的间隙；和第一气体入口，所述第一气体入口经由所述间隙或跨所述间隙的前开口提供第一气体至所述内部空间，其中所述第一气体入口设置为穿过所述处理屏蔽件的上表面以自所述腔室主体的顶部壁及处理屏蔽件之间的空间引导所述第一气体通过所述间隙，或所述第一气体入口设置于所述处理屏蔽件的侧壁中以引导所述第一气体跨所述间隙的接近所述靶的所述前开口，并且其中所述第一气体入口经配置以在使用期间实质防止来自所述内部空间的颗粒进入所述间隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 具有减少电弧的物理气相沉积(PVD)腔室

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