申请/专利权人：高丽大学校产学协力团

申请日：2020-11-30

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113862637B

主分类号：C23C16/40

分类号：C23C16/40;C23C16/455;C25D3/50;C25D3/56;C25D5/50;B82Y40/00;B82Y30/00

优先权：["20200630 KR 10-2020-0080216"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2021.12.31#公开

摘要：本发明涉及利用电镀法来形成多种直径的钌纳米线及其制备方法，涉及在利用原子层沉积法在孔隙pore中沉积纳米管nano‑tube的多孔性模板template上利用电镀法形成钌纳米线及钌钴合金纳米线，对钌纳米线及钌钴合金纳米线进行退火来形成多种直径的钌纳米线及钌钴合金纳米线的技术。

主权项：1.一种钌纳米线，其特征在于，利用原子层沉积法在多孔性模板包含的孔隙的内壁上沉积二氧化硅膜后，在上述内壁上利用电镀法还原钌来形成，通过退火来控制晶粒的大小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高丽大学校产学协力团 钌基纳米线及其制备方法

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