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【发明授权】混合内存模块以及操作混合内存模块的系统和方法_奈特力斯股份有限公司_202010083537.4 

申请/专利权人:奈特力斯股份有限公司

申请日:2014-11-07

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN111274063B

主分类号:G06F11/10

分类号:G06F11/10;G06F12/02;G06F12/06;G06F12/0868;G06F12/0871;G06F13/28;G06F12/0897;G06F3/06

优先权:["20131107 US 61/901439","20140121 US 61/929942","20140507 US 61/989941","20140822 US 62/041024","20140926 US 62/056469","20141022 US 62/067411"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.16#授权;2020.07.07#实质审查的生效;2020.06.12#公开

摘要:一种内存模块包括:易失性内存子系统,用于耦合到计算机系统中的内存通道且能够充当计算机系统的主内存;非易失性内存子系统,其为计算机系统提供存储装置;和模块控制器,其耦合到易失性内存子系统、非易失性内存子系统和CA总线。模块控制器用于控制在易失性内存子系统和非易失性内存子系统之间的模块内数据传送。该模块控制器进一步用于监视CA总线上的CA信号,且根据CA信号调度模块内数据传送,使得模块内数据传送不与内存控制器对易失性内存子系统的存取冲突。

主权项:1.一种用于计算机系统的存储器模块,所述计算机系统包含耦合到存储器信道的存储器控制器,所述存储器信道包含数据总线和控制地址CA总线,所述存储器模块包括:印刷电路板PCB;安装在所述PCB上且耦合到所述存储器信道的易失性存储器子系统,所述易失性存储器子系统包括能够充当所述计算机系统的主存储器的动态随机存取内存DRAM装置;安装在所述PCB上的非易失性存储器子系统,其为所述计算机系统提供存储装置;以及安装在所述PCB上的模块控制器,其耦合到所述易失性存储器子系统、所述非易失性存储器子系统以及所述存储器信道;其中:所述模块控制器经配置用于响应经由所述存储器信道接收到的一个模块内数据传输命令来控制从所述易失性存储器子系统到所述非易失性存储器子系统的数据传送;所述易失性存储器子系统经配置用于经由所述CA总线接收一个与所述模块内数据传输命令所指定的DRAM装置的地址相对应的虚读命令,更进一步的用于响应所述虚读命令使得所述DRAM装置输出第一数据;所述模块控制器经配置更进一步用于在接收到模块控制器命令之后经由所述CA总线接收所述虚读命令,并响应所述虚读命令来偷取从所述DRAM装置输出的所述第一数据,所述模块控制器经配置更进一步用于将所述第一数据经由闪存接口传送到所述非易失性存储器子系统。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 奈特力斯股份有限公司 混合内存模块以及操作混合内存模块的系统和方法

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