申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2023-08-02

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220796648U

主分类号：H01J25/50

分类号：H01J25/50;H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本实用新型提供一种磁控管组件及半导体工艺设备，磁控管组件包括：极性相反的内磁极和外磁极，外磁极环绕包围在内磁极的外侧，且内磁极的外侧面与外磁极的内表面之间无间隙接触。该磁控管的功率密度极大的提高，应用具备该磁控管组件的半导体工艺设备实施磁控溅射工艺时，溅射产生的靶材粒子增多，进而有利于提高薄膜覆盖率。

主权项：1.一种磁控管组件，其特征在于，包括：极性相反的内磁极和外磁极，所述外磁极环绕包围在所述内磁极的外侧，且所述内磁极的外侧面与所述外磁极的内表面之间无间隙接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 磁控管组件及半导体工艺设备

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