申请/专利权人：深圳市百斯特电子有限公司

申请日：2024-01-16

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912807A

主分类号：H01F27/255

分类号：H01F27/255;H01F27/30;H01F17/04;H01F1/147;H01F1/24;H01F1/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本申请涉及一种抗跌落低交流电阻一体成型电感材料及其制备方法，涉及一种软磁合金材料制备的技术领域，该抗跌落低交流电阻一体成型电感材料包括磁体和绕组，磁体由高电阻率材料包覆的羰基铁粉和Fe基纳米晶材料混合体组成，绕组分布设置在磁体内部，绕组外延出磁体形成电极，通过结构设计和材料配比的控制设计一种抗跌落低交流电阻一体成型电感材料，以解决传统的电感容易从电路上脱落的缺陷。

主权项：1.一种抗跌落低交流电阻一体成型电感材料，其特征在于，所述一种抗跌落低交流电阻一体成型电感材料包括：磁体（100），所述磁体（100）由高电阻率材料包覆的羰基铁粉和Fe基纳米晶材料混合体组成，所述Fe基纳米晶材料混合体的成分为75.9~88.2wt%Fe，4.0~7.0wt%Si0.7~1.9wt%Cr，0.6~1.7wt%Al，0.5~1.5wt%Cu，2.0~5.0wt%P，4.0~7.0wt%B；绕组（110），分布设置在所述磁体（100）内部，所述绕组（110）外延出所述磁体（100）形成电极（120）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市百斯特电子有限公司 抗跌落低交流电阻一体成型电感材料及其制备方法

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