申请/专利权人：肇庆市联丰电子科技有限公司;肇庆市瑞丰电子科技有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912848A

主分类号：H01G4/228

分类号：H01G4/228;H01G13/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开了一种高致密度片式电容器的制备方法，包括以下步骤：A、准备片式电容器；B、利用铜渡液，通过离心电镀的方式在所述片式电容器的铜层表面覆盖形成致密层；其中，按照质量份数，所述铜渡液包括以下原料：铜电镀主盐130～160份、缓冲剂20～40份、导电盐100～150份、络合盐120～200份和稳定剂1～10份，且所述铜电镀主盐为有机酸铜化物，所述导电盐包括氨基磺酸钾、氨基磺酸镁、甲基磺酸钾、甲基磺酸镁、草酸钾、酒石酸钾和酒石酸镁中的任意一种或多种的结合。本方案提出的一种高致密度片式电容器及其制备方法，能有效提升片式电容器的铜层表面致密度，以克服现有技术中的不足之处。

主权项：1.一种高致密度片式电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、准备片式电容器；B、利用铜渡液，通过离心电镀的方式在所述片式电容器的铜层表面覆盖形成致密层；其中，按照质量份数，所述铜渡液包括以下原料：铜电镀主盐130～160份、缓冲剂20～40份、导电盐100～150份、络合盐120～200份和稳定剂1～10份，且所述铜电镀主盐为有机酸铜化物，所述导电盐包括氨基磺酸钾、氨基磺酸镁、甲基磺酸钾、甲基磺酸镁、草酸钾、酒石酸钾和酒石酸镁中的任意一种或多种的结合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 肇庆市联丰电子科技有限公司;肇庆市瑞丰电子科技有限公司 一种高致密度片式电容器及其制备方法

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