申请/专利权人：阿卡什系统公司

申请日：2021-12-22

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117916848A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L31/0312;H01L31/0264;H01L23/373;H01L21/20;C23C16/27

优先权：["20201222 US 63/129,007"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：描述了在半导体上金刚石生长的各方面。一些方面包括在含半导体的分层结构上沉积金刚石籽晶层。一些方面包括在该金刚石籽晶层上方沉积中间层。在一些方面，中间层是固定金刚石籽晶的固定层。一些方面包括在含半导体的分层结构的表面上方生成人造金刚石。在一些方面，人造金刚石在包括金刚石籽晶和中间层的表面上方生成。在一些方面，含半导体的分层结构在该含半导体的分层结构的表面上方的适当位置用金刚石籽晶刻蚀。在一些方面，衬底的界面包括金刚石籽晶层与含半导体的分层结构之间的界面、中间层与该金刚石籽晶层之间的界面，以及人造金刚石与中间层之间的界面。

主权项：1.一种半导体结构，包括：包括宽带隙半导体材料的分层结构；设置在所述分层结构的至少一部分上方的多个金刚石籽晶；和设置在所述多个金刚石籽晶的至少一部分上方的中间层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 阿卡什系统公司 具有导热衬底的器件和形成导热衬底的方法

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