申请/专利权人：武汉理工大学

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117904579A

主分类号：C23C14/06

分类号：C23C14/06;C23C14/34;C23C14/35

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开了一种具有超纳米孪晶和等轴晶结构的高塑性碲化镉薄膜制备方法。本发明利用磁控溅射沉积碲化镉薄膜，在一定工作温度下通过工作气压调控和间歇溅射方法制备一种具有超纳米孪晶和等轴晶结构的碲化镉薄膜；其中，涉及的工作气压范围为1.5Pa‑3.0Pa，工作温度范围为25℃‑75℃，间歇溅射方法是以溅射20min‑30min，停止溅射15min‑30min为一个周期，重复若干周期使溅射总时长为3h‑5h。该方法所制备的碲化镉薄膜的等轴晶平均晶粒尺寸为5nm‑10nm，平均孪晶片层厚度为1.2nm‑2.0nm，均处于超纳米10nm数量级，而且在强度与传统柱状晶结构相当的情况下，塑性提高3‑6倍。

主权项：1.一种具有超纳米孪晶和等轴晶结构的高塑性碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于，将碲化镉合金作为射频溅射靶材，以氩气为工作气体，通过电离的氩离子轰击靶材表面，使碲化镉粒子由下至上在基底表面溅射沉积，在一定工作温度下，控制溅射沉积过程中的工作气压并采用间歇溅射方法，制备得到具有超纳米孪晶和等轴晶结构的碲化镉薄膜；其中，工作气压为1.5Pa-3.0Pa，工作温度为25℃-75℃；间歇溅射方法是以溅射20min-30min，停止溅射15min-30min为一个周期，重复若干周期使溅射总时长为3h-5h。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉理工大学 一种具有超纳米孪晶和等轴晶结构的高塑性碲化镉薄膜的制备方法

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