申请/专利权人：湖南大学

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117907903A

主分类号：G01R33/032

分类号：G01R33/032

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开了一种基于磁光效应光学放大的弱磁场测量方法及装置，本发明的弱磁场测量方法简单，装置成本低。本发明的弱磁场测量方法精度高且可调，可测磁场范围宽。改变入射角，越接近值arctann，光学放大效应越显著，磁光效应产生的偏振角度β的微小变化能导致检偏器测量角θ的更大变化。这样，就能以更高精度测量磁场的磁感应强度大小B。因此，改变入射角，能调节测量精度，可以适用不同磁场强度范围。

主权项：1.一种基于磁光效应光学放大的弱磁场测量方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，使偏振态的入射光穿过处于待测磁场内的磁光材料，从而使入射光的偏振发生变化，然后使入射光在电介质的界面上发生反射；步骤2，使反射光通过检偏器，并调整检偏器的透光方向，直到经检偏器出射的光束的中心强度为零时，记录下检偏器从原始位置起转动的角度θ；其中原始位置是在入射光引入待测的磁场之前，反射光通过检偏器出射的光束的中心强度为零时检偏器与垂直方向的夹角；步骤3，通过下式计算得到磁场B： 其中V是磁光材料的Verdet常数，l是光通过磁光材料的长度，n为电介质的折射率，α为入射光在电介质界面上的入射角度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南大学 一种基于磁光效应光学放大的弱磁场测量方法及装置

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