申请/专利权人：上海理工大学

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117908245A

主分类号：G02B26/00

分类号：G02B26/00;G02F3/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明涉及一种基于磁控结构的太赫兹频率双稳态器件，包括中空的U型槽结构以及U型槽中间插入的悬空在槽中的簧片，U型槽与簧片构成两端打开的方筒，太赫兹波掠入射进方筒的一端的输入端口，同时施加垂直于簧片方向的磁力，在方筒中簧片与U型槽底之间进行谐振，方筒另一端接收具有周期性凹陷的频谱。可以实现不同频率下的高幅值到低幅值与低幅值到高幅值的双稳态功能。在材料上，U型槽结构可以选用PE和树脂等半透半反材料，簧片也可以使用的是具有一定硬度与弹性的半透半反材料。这样的结构组合不仅选材多样化，并且成本低廉，加工难度小。

主权项：1.一种基于磁控结构的太赫兹频率双稳态器件，其特征在于，包括中空的U型槽结构以及U型槽中间插入的悬空在槽中的簧片，U型槽与簧片构成两端打开的方筒，太赫兹波掠入射进方筒的一端的输入端口，同时施加垂直于簧片方向的磁力，在方筒中簧片与U型槽底之间进行谐振，方筒另一端接收具有周期性凹陷的频谱。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海理工大学 基于磁控结构的太赫兹频率双稳态器件

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